[发明专利]放大器在审

专利信息
申请号: 201880076114.0 申请日: 2018-10-30
公开(公告)号: CN111434032A 公开(公告)日: 2020-07-17
发明(设计)人: 苏米特·巴戈 申请(专利权)人: 诺韦尔达公司
主分类号: H03F3/193 分类号: H03F3/193;H03F1/34;H03F1/56;H03F3/195
代理公司: 北京清亦华知识产权代理事务所(普通合伙) 11201 代理人: 宋融冰
地址: 挪威克*** 国省代码: 暂无信息
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摘要:
搜索关键词: 放大器
【权利要求书】:

1.一种放大器,其包含:

放大元件,其具有跨第一端子和第三端子的电压输入以及第二端子与所述第三端子之间的电压控制电流路径;以及

三线变压器,其具有初级绕组、次级绕组和第三绕组;

其中所述初级绕组连接到所述第三端子,所述次级绕组连接到所述第一端子并且所述第三绕组连接到所述第二端子;

其中所述初级绕组和所述次级绕组以反相关系相互耦合;

其中所述初级绕组和所述第三绕组以非反相关系相互耦合;

其中所述次级绕组和所述第三绕组以反相关系相互耦合;并且

其中所述第三绕组在放大器输出与所述第二端子之间。

2.根据权利要求1所述的放大器,其中每对绕组的有效匝数比被选择为使得放大器输入阻抗的实部为正并且放大器输出阻抗的实部为正。

3.根据权利要求1或2所述的放大器,其中每对绕组的所述有效匝数比被选择为使得所述第一端子与所述第三端子之间的相位差在120-240度的范围内。

4.根据权利要求1、2或3所述的放大器,其中每对绕组的所述有效匝数比被选择为使得所述第一端子与所述第三端子之间的所述相位差在150-210度的范围内。

5.根据任一前述权利要求所述的放大器,其中所述初级绕组、所述次级绕组和所述第三绕组都是同心的,并且其中所述初级绕组将所述次级绕组与所述第三绕组分离。

6.根据任一前述权利要求所述的放大器,其中所述初级绕组与所述次级绕组或所述第三绕组相互缠绕。

7.根据权利要求6所述的放大器,其中所述次级绕组和所述第三绕组中的另一个与相互缠绕的绕组同心。

8.根据任一前述权利要求所述的放大器,其中所述三线变压器是在两个金属层中形成的堆叠变压器,其中所述初级绕组与所述次级绕组和所述第三绕组中的一个堆叠,并且所述初级绕组形成在同一层中并且与所述次级绕组和所述第三绕组中的另一个同心。

9.根据任一前述权利要求所述的放大器,其中所述次级绕组被成形为与所述第三绕组具有接近零的相互耦合。

10.根据任一前述权利要求所述的放大器,其中所述放大元件是晶体管。

11.根据权利要求10所述的放大器,其中所述晶体管是FET,优选地是MOSFET。

12.根据权利要求11所述的放大器,其中所述FET被布置在共栅极配置中。

13.根据权利要求12所述的放大器,其中所述初级绕组连接到所述FET的源极,所述次级绕组连接到所述FET的栅极,并且所述第三绕组连接到所述FET的漏极。

14.一种用放大元件放大信号的方法,所述放大元件包含跨第一端子和第三端子的电压输入,并且包含第二端子与所述第三端子之间的电压控制电流路径,所述方法包含:

将所述信号施加到所述放大元件的第三端子;

用三线变压器的初级绕组感测所述第三端子处的电压;

经由所述三线变压器的次级绕组将来自所述第三端子的所述所感测的电压的至少一部分反相地耦合到所述放大元件的所述第一端子;

用三线变压器的第三绕组感测所述第二端子处的电流;

经由所述三线变压器的第三绕组将来自所述第二端子的所述所感测的电流的至少一部分不反相地耦合到所述放大元件的所述第三端子;并且

从输出节点输出放大的信号,所述输出节点定位成使得所述第三绕组在所述输出节点与第二端子之间。

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