[发明专利]薄膜晶体管在审
| 申请号： | 201880075372.7 | 申请日： | 2018-08-24 |
| 公开（公告）号： | CN111373548A | 公开（公告）日： | 2020-07-03 |
| 发明（设计）人： | 增茂邦雄;石桥奈央;中村伸宏;渡边晓;大越雄斗;宫川直通 | 申请（专利权）人： | AGC株式会社 |
| 主分类号： | H01L29/786 | 分类号： | H01L29/786;H01L21/336 |
| 代理公司： | 北京林达刘知识产权代理事务所(普通合伙) 11277 | 代理人： | 刘新宇;李茂家 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 薄膜晶体管 | ||
1.一种薄膜晶体管，其为顶栅共面型的薄膜晶体管，
其具有源极、漏极、栅极、及半导体层，
所述半导体层具有所述源极用的第1低电阻区域、和所述漏极用的第2低电阻区域，
所述源极及所述漏极借助所述第1低电阻区域、所述半导体层、及所述第2低电阻区域进行电连接，
所述半导体层由包含镓(Ga)、锌(Zn)、及锡(Sn)的氧化物系的半导体构成。
2.根据权利要求1所述的薄膜晶体管，其中，将所述第1低电阻区域和所述第2低电阻区域之间的最小距离称作通道长时，该通道长为5μm以下。
3.根据权利要求1或2所述的薄膜晶体管，其中，在所述半导体层中，相对于全部阳离子原子，镓原子的原子比为10％～35％的范围。
4.根据权利要求1～3中任一项所述的薄膜晶体管，其中，在所述半导体层中，相对于全部阳离子原子，锌原子的原子比为49％～62％的范围。
5.根据权利要求1～4中任一项所述的薄膜晶体管，其中，所述半导体层不包含铟(In)，
相对于全部阳离子原子，锡原子的原子比为16％～28％的范围。
6.根据权利要求1～5中任一项所述的薄膜晶体管，其中，所述第1低电阻区域与第1接触层连接，并借助该第1接触层与所述源极连接，
所述第1接触层由包含钛(Ti)的材料构成。
7.根据权利要求1～6中任一项所述的薄膜晶体管，其中，所述第2低电阻区域与第2接触层连接，并借助该第2接触层与所述漏极连接，
所述第2接触层由包含钛(Ti)的材料构成。
8.根据权利要求1～7中任一项所述的薄膜晶体管，其中，所述第1低电阻区域及所述第2低电阻区域中的至少一者为所述半导体层的等离子体处理区域或氢离子注入区域。
9.一种薄膜晶体管，其为反交错型的薄膜晶体管，
其具有源极、漏极、栅极、及半导体层，
所述源极及所述漏极借助所述半导体层进行电连接，
所述半导体层由包含镓(Ga)、锌(Zn)、及锡(Sn)的氧化物系的半导体构成。
10.根据权利要求9所述的薄膜晶体管，其中，将所述源极和所述漏极之间的最小距离称作通道长时，该通道长为5μm以下。
11.根据权利要求9或10所述的薄膜晶体管，其中，所述半导体层中，相对于全部阳离子原子，镓原子的原子比为10％～35％的范围。
12.根据权利要求9～11中任一项所述的薄膜晶体管，其中，所述半导体层中，相对于全部阳离子原子，锌原子的原子比为49％～62％的范围。
13.根据权利要求9～12中任一项所述的薄膜晶体管，其中，所述半导体层不包含铟(In)，
相对于全部阳离子原子，锡原子的原子比为16％～28％的范围。
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