[发明专利]用于电子封装的组装的具有热稳定微结构的冶金组合物

权利要求书

1.一种膏剂组合物，其包含：

a.40-70重量％的低熔点颗粒组合物，其中所述颗粒选自如下：至少一种低熔点金属Y的颗粒、至少一种低熔点金属的至少一种合金X/Y的颗粒，以及它们的组合，其中X表示与Y形成合金的至少一种金属；

b.25-65重量％的高熔点颗粒组合物，其包含在处理温度T1下与低熔点颗粒组合物中的至少一种低熔点金属Y反应的至少一种金属元素M；和

c.1-15重量％的助焊载体，

其中在M和Y之间形成的反应产物是在温度T1下为固体的晶体金属间化合物；和

其中所述高熔点颗粒组合物的表面积为0.07-0.18平方米/所述组合物中的每克Y。

2.根据权利要求1所述的膏剂组合物，其中所述高熔点颗粒组合物的表面积为0.08-0.15平方米/所述组合物中的每克Y。

3.根据权利要求1或2所述的膏剂组合物，其中Y选自Sn、Zn、Ga、In及其组合。

4.根据权利要求1或2所述的膏剂组合物，其中Y选自Sn、In及其组合。

5.根据权利要求1或2所述的膏剂组合物，其中X/Y选自Sn/Ag/Cu、Sn/Cu、Sn/Ag、Sn/Sb、Sn/In、Sn/Bi和Sn/Bi/Ag。

6.根据权利要求1或2所述的膏剂组合物，其中所述高熔点颗粒组合物包含至少两种金属元素M。

7.根据权利要求1或2所述的膏剂组合物，其中M选自Cu、Ag、Pd、Au、Al、Ni、Be、Rh、Co、Fe、Mo、W、Mn、Pt及其组合。

8.根据权利要求1或2所述的膏剂组合物，其中M选自Cu、Ag、Pd、Au、Al、Ni、Pt及其组合。

9.根据权利要求1或2所述的膏剂组合物，其中M为Cu。

10.根据权利要求1或2所述的膏剂组合物，其中所述金属元素M为具有选自以下形状的颗粒：球形、近球形、片晶、薄片和无定形及其组合。

11.根据权利要求1或2所述的膏剂组合物，其差示扫描量热法中的吸热量为至少1.7J/g。

12.根据权利要求1或2所述的膏剂组合物，其差示扫描量热法中的吸热量不超过30J/g。

13.根据权利要求1或2所述的膏剂组合物，其电阻率为至少17微欧姆*厘米。

14.根据权利要求1或2所述的膏剂组合物，其电阻率不超过25微欧姆*厘米。

15.根据权利要求1或2所述的膏剂组合物，其在升高温度下的剪切强度是至少0.2kg/mm²。

16.根据权利要求1或2所述的膏剂组合物，其在升高温度下的剪切强度不超过10kg/mm²。

17.根据权利要求1或2所述的膏剂组合物，其在室温下的剪切强度为至少3kg/mm²。

18.根据权利要求1或2所述的膏剂组合物，其在室温下的剪切强度不超过10kg/mm²。

19.一种使两个或更多个电子部件接触的方法，包括以下步骤：

a)将根据权利要求1-10中任一项的膏剂组合物分配在电子部件之间；和

b)在超过焊料合金粉末X/Y和/或低熔点金属Y的熔化温度的温度下对所述电子部件进行热处理。