[发明专利]半导体装置中的预模制引线框

权利要求书

1.一种形成半导体封装的方法，所述方法包括：

形成用于所述半导体封装的引线框，其中形成所述引线框包括：

提供具有第一侧及第二侧的金属条，其中所述第二侧与所述第一侧相对，

根据切割图案将所述金属条的所述第一侧切割到深度D1以形成多个第一沟道，其中所述深度D1小于所述金属条的高度H，

根据光致抗蚀剂图案将所述金属条的所述第二侧蚀刻到深度D2以形成第二多个沟道，其中所述深度D2比所述金属条的高度H浅，所述高度H介于所述金属条的所述第一侧与所述第二侧之间，

将预模制化合物插入到所述第二多个沟道中，

其中所述第一多个沟道一直或至少部分地延伸到所述第二多个沟道中的所述预模制化合物中以在所述引线框上形成多个引线，且

其中所述第一多个沟道中的至少一些沟道与所述第二多个沟道中的至少一些沟道流体连通；

将多个凸块耦合于半导体裸片与所述引线框的所述多个引线上的多个凸块着落位点之间，其中在沿着所述多个引线中的至少一者从一端观看时，所述多个凸块中的至少一些凸块看起来重叠；及

用模制化合物覆盖所述半导体裸片的至少一部分及所述引线框的至少一部分以形成所述半导体封装。

2.根据权利要求1所述的方法，其中所述金属条的所述第一侧的所述切割包含使用激光器、精密水刀或等离子体切割机。

3.根据权利要求1所述的方法，其中将预模制化合物插入到所述第二多个沟道中包括用所述预模制化合物基本上填充所述第二多个沟道。

4.根据权利要求1所述的方法，其中所述切割图案至少部分地与所述光致抗蚀剂图案对准，且其中所述金属条的所述第一侧的所述切割与已从所述金属条的所述第二侧蚀刻所述高度H的至少50％的位置对准。

5.根据权利要求1所述的方法，其中所述从所述第二侧进行蚀刻继续直到移除所述金属条的所述高度H的50％到80％为止。

6.根据权利要求1所述的方法，其中所述金属条的所述第一侧的所述切割包含形成具有小于50微米的横向宽度W1的切口。

7.根据权利要求1所述的方法，其中所述预模制化合物包括环氧树脂。

8.根据权利要求1所述的方法，其进一步包括切割所述金属条以在第一方向及第二方向上分离所述金属条的部分以形成一或多个岛状物。

9.根据权利要求1所述的方法，其中所述切割图案为非线性的。

10.根据权利要求9所述的方法，其中所述光致抗蚀剂图案为基本上线性的。

11.一种形成半导体封装的方法，所述方法包括：

形成用于所述半导体封装的引线框，其中形成所述引线框包括：

提供具有第一侧及第二侧的金属条，其中所述第二侧与所述第一侧相对，且其中所述金属条具有介于所述第一侧与所述第二侧之间的高度H，

根据切割图案将所述金属条的所述第一侧切割到深度D1以形成第一多个开口，其中D1小于所述高度H，

在所述金属条的所述第二侧上施加光致抗蚀剂，

根据光致抗蚀剂图案将化学蚀刻施加到所述金属条的所述第二侧以形成第二多个开口，其中所述第二多个开口的深度D2小于所述金属条的所述高度H，

从所述金属条的所述第二侧移除所述光致抗蚀剂，

将绝缘材料施加到所述第二多个开口中，且

其中所述第一多个开口延伸到所述第二多个开口中以在所述引线框上形成多个引线；

将多个凸块耦合于半导体裸片与所述引线框的所述多个引线上的多个凸块着落位点之间，其中所述多个引线至少部分地由所述绝缘材料支撑；及

用模制化合物覆盖所述半导体裸片的至少一部分及所述引线框的至少一部分以形成所述半导体封装。