[发明专利]电子器件的封装方法和接合技术在审

专利信息
申请号: 201880073622.3 申请日: 2018-09-17
公开(公告)号: CN111357099A 公开(公告)日: 2020-06-30
发明(设计)人: 丹尼尔·詹路易吉·费纳雷利 申请(专利权)人: 费纳模组有限公司
主分类号: H01L23/373 分类号: H01L23/373
代理公司: 深圳尚业知识产权代理事务所(普通合伙) 44503 代理人: 文蓉
地址: 瑞士*** 国省代码: 暂无信息
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摘要:
搜索关键词: 电子器件 封装 方法 接合 技术
【权利要求书】:

1.一种缓冲结构,用于在电子器件的两层之间提供应力消除,所述缓冲结构包括:

紧密地堆积在一起的多个离散柱,使得所述多个导电柱之间基本上无气隙,以及

其中,每个柱的高度大于所述柱的厚度。

2.根据权利要求1所述的缓冲结构,其中,所述多个柱中的至少一些为实心柱。

3.根据权利要求1或2所述的缓冲结构,其中,所述多个柱中的至少一些是导电和导热的。

4.根据权利要求1、2或3所述的缓冲结构,其中,所述缓冲结构防止在两个层之间,使得所述两个层彼此间隔开每个柱的高度。

5.根据权利要求4所述的缓冲结构,其中,电流沿着所述多个柱中的至少一些的高度方向流动。

6.根据任一前述权利要求所述的缓冲结构,其中,所述多个柱使用粘合材料堆积在一起。

7.根据权利要求6所述的缓冲结构,其中,所述粘合材料从包括软胶、树脂、橡胶、模塑材料、焊接材料和挥发性胶的组中选择。

8.根据权利要求7所述的缓冲结构,进一步包括在所述多个柱的两侧上的焊接材料。

9.根据权利要求8所述的缓冲结构,进一步包括围绕所述多个柱的外框架。

10.根据任一前述权利要求所述的缓冲结构,其中,所述多个柱中的至少一些中的每一个的填充因数近似为1。

11.根据任一前述权利要求所述的缓冲结构,其中,所述多个柱中的至少一些具有圆形横截面,每个圆形横截面具有单一直径。

12.根据权利要求1至10中任一项所述的缓冲结构,其中,所述多个柱中的至少一些具有六边形横截面。

13.根据权利要求11或12所述的缓冲结构,其中,所述多个柱中的至少一些具有不同的厚度。

14.根据任一前述权利要求所述的缓冲结构,其中,所述多个柱之间在沿着每个柱的厚度的横向方向上的机械连接和/或电连接小于在沿着每个柱的高度的垂直方向上的机械连接和/或电连接。

15.根据任一前述权利要求所述的缓冲结构,其中,所述缓冲结构的柔性由每个柱的高度和直径或厚度的比率确定。

16.根据任一前述权利要求所述的缓冲结构,其中,每个柱的直径或厚度小于约2mm。

17.根据任一前述权利要求所述的缓冲结构,其中,每个柱包括导线。

18.根据权利要求1至16中任一项所述的缓冲结构,其中,每个支柱包括剪切变形泡沫的一部分。

19.根据权利要求18所述的缓冲结构,其中,所述剪切变形泡沫包括金属泡沫、陶瓷泡沫、金属化陶瓷泡沫和塑料泡沫中的任一种。

20.根据权利要求18或19所述的缓冲结构,其中,所述剪切变形泡沫通过沿着所述泡沫的高度方向施加剪切力而形成,所述剪切力沿着所述泡沫的厚度方向产生张力。

21.根据权利要求18至20中任一项所述的缓冲结构,其中,所述剪切变形泡沫的泡孔具有大致“风筝状”结构。

22.根据权利要求18至21中任一项所述的缓冲结构,其中,所述剪切变形泡沫沿着所述泡沫的高度方向被切割成多片,并且每片形成所述缓冲结构。

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