[发明专利]制造微透镜的方法在审

专利信息
申请号: 201880073529.2 申请日: 2018-12-06
公开(公告)号: CN111684598A 公开(公告)日: 2020-09-18
发明(设计)人: 格哈德·艾尔姆施泰纳;汉内斯·布兰德纳 申请(专利权)人: AMS有限公司
主分类号: H01L27/146 分类号: H01L27/146
代理公司: 北京柏杉松知识产权代理事务所(普通合伙) 11413 代理人: 谢攀;刘继富
地址: 奥地利普*** 国省代码: 暂无信息
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摘要:
搜索关键词: 制造 透镜 方法
【权利要求书】:

1.一种微透镜的制造方法,包括:

提供载体(1),

在所述载体(1)上施加抗蚀剂层(2),

在所述抗蚀剂层(2)中形成具有悬突或凹入的侧壁的开口(3),所述载体(1)被裸露在所述开口(3)中,

沉积透镜材料(5),从而在所述开口(3)中的所述载体(1)上形成透镜(6),以及

去除所述抗蚀剂层(2)。

2.根据权利要求1所述的方法,其中,所述抗蚀剂层(2)包括负性光刻胶。

3.根据权利要求1或2所述的方法,其中,所述悬突或凹入的侧壁形成为包括至少一个台阶(4),所述至少一个台阶在所述抗蚀剂层(2)的不同深度(d1,d2,d3,d4)的区域中提供所述开口(3)的不同宽度(w1,w2,w3,w4)。

4.根据权利要求3所述的方法,其中,所述悬突或凹入的侧壁形成为包括多个台阶(4)。

5.根据权利要求1至4中之一所述的方法,其中,所述透镜材料(5)通过蒸发来沉积。

6.根据权利要求1至4中之一所述的方法,其中,所述透镜材料(5)通过溅射来沉积。

7.根据权利要求1至6中之一所述的方法,其中,所述透镜材料(5)是无机材料。

8.根据权利要求1至7中之一所述的方法,其中,所述载体(1)包括半导体衬底(7)和该半导体衬底(7)上的电介质(9、10),并且所述抗蚀剂层(2)被施加在该电介质(9、10)上。

9.根据权利要求8所述的方法,其中,所述电介质(9、10)包括金属间电介质(9),金属层(11、12、13)被嵌入其中。

10.根据权利要求9所述的方法,其中,所述电介质(9、10)进一步包括钝化层(10),所述钝化层形成在所述金属间电介质(9)上或金属间电介质之中,所述透镜(6)形成在所述钝化层(10)的开口(15)上方。

11.根据权利要求1至10中之一所述的方法,其中,所述透镜材料(5)包括金属氧化物。

12.根据权利要求1至10中之一所述的方法,其中,所述透镜材料(5)包括选自SiO2、HfO2、Nb2O5和TiO2中的至少一种氧化物。

13.根据权利要求1至10中之一所述的方法,其中,所述透镜材料(5)是非晶硅或非晶锗。

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