[发明专利]制造微透镜的方法在审
申请号: | 201880073529.2 | 申请日: | 2018-12-06 |
公开(公告)号: | CN111684598A | 公开(公告)日: | 2020-09-18 |
发明(设计)人: | 格哈德·艾尔姆施泰纳;汉内斯·布兰德纳 | 申请(专利权)人: | AMS有限公司 |
主分类号: | H01L27/146 | 分类号: | H01L27/146 |
代理公司: | 北京柏杉松知识产权代理事务所(普通合伙) 11413 | 代理人: | 谢攀;刘继富 |
地址: | 奥地利普*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 制造 透镜 方法 | ||
1.一种微透镜的制造方法,包括:
提供载体(1),
在所述载体(1)上施加抗蚀剂层(2),
在所述抗蚀剂层(2)中形成具有悬突或凹入的侧壁的开口(3),所述载体(1)被裸露在所述开口(3)中,
沉积透镜材料(5),从而在所述开口(3)中的所述载体(1)上形成透镜(6),以及
去除所述抗蚀剂层(2)。
2.根据权利要求1所述的方法,其中,所述抗蚀剂层(2)包括负性光刻胶。
3.根据权利要求1或2所述的方法,其中,所述悬突或凹入的侧壁形成为包括至少一个台阶(4),所述至少一个台阶在所述抗蚀剂层(2)的不同深度(d1,d2,d3,d4)的区域中提供所述开口(3)的不同宽度(w1,w2,w3,w4)。
4.根据权利要求3所述的方法,其中,所述悬突或凹入的侧壁形成为包括多个台阶(4)。
5.根据权利要求1至4中之一所述的方法,其中,所述透镜材料(5)通过蒸发来沉积。
6.根据权利要求1至4中之一所述的方法,其中,所述透镜材料(5)通过溅射来沉积。
7.根据权利要求1至6中之一所述的方法,其中,所述透镜材料(5)是无机材料。
8.根据权利要求1至7中之一所述的方法,其中,所述载体(1)包括半导体衬底(7)和该半导体衬底(7)上的电介质(9、10),并且所述抗蚀剂层(2)被施加在该电介质(9、10)上。
9.根据权利要求8所述的方法,其中,所述电介质(9、10)包括金属间电介质(9),金属层(11、12、13)被嵌入其中。
10.根据权利要求9所述的方法,其中,所述电介质(9、10)进一步包括钝化层(10),所述钝化层形成在所述金属间电介质(9)上或金属间电介质之中,所述透镜(6)形成在所述钝化层(10)的开口(15)上方。
11.根据权利要求1至10中之一所述的方法,其中,所述透镜材料(5)包括金属氧化物。
12.根据权利要求1至10中之一所述的方法,其中,所述透镜材料(5)包括选自SiO2、HfO2、Nb2O5和TiO2中的至少一种氧化物。
13.根据权利要求1至10中之一所述的方法,其中,所述透镜材料(5)是非晶硅或非晶锗。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的