[发明专利]具有老化效应降低技术的张弛振荡器在审
申请号: | 201880073508.0 | 申请日: | 2018-11-27 |
公开(公告)号: | CN111684720A | 公开(公告)日: | 2020-09-18 |
发明(设计)人: | 大仓铁郎 | 申请(专利权)人: | AMS有限公司 |
主分类号: | H03K3/011 | 分类号: | H03K3/011;H03K3/013;H03K3/0231 |
代理公司: | 北京柏杉松知识产权代理事务所(普通合伙) 11413 | 代理人: | 谢攀;刘继富 |
地址: | 奥地利普*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 具有 老化 效应 降低 技术 张弛 振荡器 | ||
1.一种具有老化效应降低技术的张弛振荡器,包括:
-比较器(CP),其具有第一输入节点(CP1)和第二输入节点(CP2),其中,参考信号(VRP、VRN、Vap、Van、Vdp、Vdn)施加到比较器(CP)的所述第一输入节点和所述第二输入节点(CP1、CP2)中的至少一个,
-至少一个电容器(C、C1、C2),其连接到所述比较器(CP)的所述第一输入节点和所述第二输入节点(CP1、CP2)中的至少一个,
-多个晶体管(M1、M2、M3、M4)和多个可控开关(SW11、…、SW8、SW111、…、SW180),
-其中,在所述张弛振荡器的运行周期(OC2)期间控制所述多个可控开关(SW11、…、SW8、SW111、…、SW180),使得产生对所述至少一个电容器(C、C1、C2)充电的充电电流,并且所述充电电流流过所述多个晶体管中的至少第一晶体管(M1);并且使得产生用于提供参考信号(VRP、VRN、Vap、Van、Vdp、Vdn)的参考电流,并且所述参考电流流过所述多个晶体管中的至少第二晶体管(M2),
-其中,在所述张弛振荡器的后续运行周期(OC3)期间控制所述多个可控开关(SW11、…、SW8、SW111、…、SW180),使得产生将所述至少一个电容器(C、C1、C2)放电的放电电流,并且所述放电电流流过所述多个晶体管中的至少第三晶体管(M3);并且使得产生用于提供参考信号(VRP、VRN、Vap、Van、Vdp、Vdn)的参考电流,并且所述参考电流流过所述多个晶体管中的至少第四晶体管(M4)。
2.根据权利要求1所述的张弛振荡器,
-其中,所述比较器(CP)包括用于提供输出信号(clk、clkn、clkp)的输出节点(CP3),
-其中,所述可控开关(SW11、...、SW8、SW111、...、SW180)由所述比较器(CP)的输出信号(clk、clkn、clkp)控制。
3.根据权利要求1或2所述的张弛振荡器,包括:
-多个可激活的参考电流路径,其布置在电源电势(Vdd)与参考电势(Vss)之间,
-其中,所述可控开关(SW11、...、SW8、SW111、...、SW180)配置为激活所述可激活的参考电流路径之一,使得电源电势(Vdd)和参考电势(Vss)通过激活的参考电流路径导电地连接,并且参考电流在所述激活的参考电流路径中流动,
-其中,所述可控开关(SW11、...、SW8、SW111、...、SW180)配置为以停用所述可激活的参考电流路径的剩余部分,使得在电源电势(Vdd)与参考电势(Vss)之间的通过所述可激活的参考电流路径的剩余部分的导电连接被阻断,
-其中,所述参考信号的电平取决于参考电流。
4.根据权利要求3所述的张弛振荡器,包括:
-电阻器(R),
-其中,所述可激活的参考电流路径布置为使得所述电阻器(R)布置在所述可激活的参考电流路径中的每一个中,
-其中,所述参考信号的电平取决于所述电阻器(R)处的电压降。
5.根据权利要求1至4所述的张弛振荡器,包括:
-多个可激活的充电电流路径,
-其中,所述可激活的充电电流路径中的每一个配置为,当所述可激活的充电电流路径中的相应一个在激活状态下运行时,将电源电势(Vdd)导电地连接到所述至少一个电容器(C、C1、C2),以提供对所述至少一个电容器(C、C1、C2)充电的充电电流,
-其中,所述可激活的充电电流路径中的每一个配置为,当所述可激活的充电电流路径中的相应一个在停用状态下运行时,将电源电势(Vdd)与所述至少一个电容器(C、C1、C2)隔离。
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