[发明专利]光学器件的制造方法

说明书

本发明的目的是提供一种能够高精度地形成梁部的光学器件的制造方法。本发明的光学器件的制造方法包括：第1步骤，准备具有与基底、可动部和弹性支承部对应的部分的半导体基板(100)；第2步骤，在第1半导体层(101)的与绝缘层(103)相反侧的表面中与基底对应的区域形成第1抗蚀层(104)；第3步骤，通过将第1抗蚀层(104)用作掩模对第1半导体层进行蚀刻直至厚度方向上的中间部，而在第1半导体层形成凹部(105)；第4步骤，在凹部(105)的底面(105a)中与梁部对应的区域、凹部的侧面(105b)和第1半导体层的与绝缘层(103)相反侧的表面(101a)形成第2抗蚀层(106)；第5步骤，通过将第2抗蚀层(106)用作掩模对第1半导体层(101)进行蚀刻直至绝缘层(103)，而形成梁部(224)。

技术领域

本发明涉及光学器件的制造方法。

背景技术

作为由SOI(Silicon On Insulator(绝缘层上硅))基板构成的MEMS(MicroElectro Mechanical Systems(微机电系统))器件，已知有一种光学器件，其包括基底、可动部、在基底与可动部之间连接的弹性支承部、和配置于可动部上的光学功能部(例如参照专利文献1)。

现有技术文献

专利文献

专利文献1：美国专利申请公开2008/0284078号说明书

发明内容

发明所要解决的课题

上述那样的光学器件中，为了抑制可动部或者弹性支承部在移动中的变形，考虑在可动部或者弹性支承部设置梁部。这样的光学器件中，从可动部的控制性的观点等出发，追求高精度地形成梁部。

本发明的一个方面的目的是提供能够高精度地形成梁部的光学器件的制造方法。

解决课题的技术手段

本发明的一方面的光学器件的制造方法，其特征在于，所述光学器件包括基底、可动部、在基底与可动部之间连接的弹性支承部、和配置于可动部上的光学功能部，基底、可动部和弹性支承部由半导体基板构成，该半导体基板具有第1半导体层、第2半导体层和在第1半导体层与第2半导体层之间配置的绝缘层，基底由第1半导体层、第2半导体层和绝缘层构成，可动部和弹性支承部的至少一者具有至少由所述第1半导体层构成且配置于第2半导体层上的梁部，构成梁部的第1半导体层比构成基底的第1半导体层薄，所述光学器件的制造方法包括：第1步骤，准备具有与基底、可动部和弹性支承部对应的部分的半导体基板；第2步骤，在第1步骤之后，在第1半导体层的与绝缘层相反侧的表面中与基底对应的区域形成第1抗蚀层；第3步骤，在第2步骤之后，通过将第1抗蚀层用作掩模对第1半导体层进行蚀刻直至厚度方向上的中间部，而在第1半导体层形成凹部；第4步骤，在第3步骤之后，在凹部的底面中与梁部对应的区域、凹部的侧面、和第1半导体层的与绝缘层相反侧的表面形成第2抗蚀层；和第5步骤，在第4步骤之后，通过将第2抗蚀层用作掩模对第1半导体层进行蚀刻直至到达绝缘层，而形成梁部。

通过该光学器件的制造方法得到的光学器件中，构成梁部的第1半导体层比构成基底的第1半导体层薄。由此，能够利用梁部抑制可动部和/或弹性支承部的变形，并且抑制梁部从基底突出来实现对梁部的保护。另一方面，一般的制造方法中，难以高精度地形成这样的梁部。与此相对，该光学器件的制造方法中，通过将第1抗蚀层和第2抗蚀层用作掩模的2阶段的蚀刻，来形成梁部。因此，能够高精度地形成梁部。

第1步骤中，也可以准备第1半导体层比第2半导体层厚的半导体基板。该情况下，得到的光学器件中能够确保梁部的厚度，并且能够更适当地抑制可动部和/或弹性支承部的变形。

本发明的一方面的光学器件的制造方法也可以还包括在第5步骤之后，在第2半导体层的绝缘层侧的表面上形成光学功能部的第6步骤。该情况下，能够利用基底和梁部保护光学功能部，例如能够抑制搬运时等因直接的接触而光学功能部受损伤。