[发明专利]玻璃配线基板、其制造方法以及半导体装置

权利要求书

1.一种玻璃配线基板，其形成有在玻璃基板上具有电感器以及电容器的高频用滤波器，其特征在于，

所述玻璃配线基板具有：

贯通孔，其形成于上述玻璃基板；

无机贴合层，其形成于上述玻璃基板的两面以及上述贯通孔的壁面；

线圈构造的电感器，其具有设置为将上述贯通孔贯通且与上述无机贴合层接触的贯通电极、以及设置于在上述玻璃基板的表面形成的无机贴合层之上且与上述贯通电极电连接的第一配线层；

电容器用的下电极，其与上述电感器电连接，由处于上述玻璃基板的至少一个面的上述第一配线层的一部分构成；

绝缘树脂层，其形成于上述玻璃基板之上，由将上述第一配线层覆盖的绝缘树脂构成；

绝缘树脂开口部，其是以上述下电极的一部分露出的方式使上述绝缘树脂层开口而得到的；

电容器，其具有在通过上述绝缘树脂开口部而露出的下电极上形成的介电质层以及形成于上述介电质层上的上电极；以及

用于与外部基板连接的第二配线层，其与上述上电极电连接且形成于上述绝缘树脂层上。

2.根据权利要求1所述的玻璃配线基板，其特征在于，

上述介电质层形成于上述绝缘树脂开口部的内壁侧面的至少一部分、以及上述绝缘树脂层的表面上的至少一部分的一者或二者。

3.根据权利要求1或2所述的玻璃配线基板，其特征在于，

上述下电极的供上述介电质层形成的表面的算术表面粗糙度Ra小于或等于150nm。

4.根据权利要求1至3中任一项所述的玻璃配线基板，其特征在于，

上述玻璃基板的厚度大于或等于50μm而小于或等于1000μm。

5.根据权利要求1至4中任一项所述的玻璃配线基板，其特征在于，

上述贯通电极的最大直径大于或等于15μm而小于或等于150μm。

6.根据权利要求1至5中任一项所述的玻璃配线基板，其特征在于，

上述第一配线层的厚度大于或等于2μm而小于或等于25μm。

7.根据权利要求1至6中任一项所述的玻璃配线基板，其特征在于，

上述无机贴合层是从氧化锡、氧化铟、氧化锌、镍、镍磷、铬、氧化铬、氮化铝、氮化铜、氧化铝、钽、钛、铜中选择的单体材料的单层膜、或者使从上述材料中选择的大于或等于2种的材料复合而成的大于或等于2层的单层或层叠的膜。

8.根据权利要求1至7中任一项所述的玻璃配线基板，其特征在于，

上述贯通电极和上述第一配线层分别是从铜、银、金、镍、铂、钯、钌、锡、锡银、锡银铜、锡铜、锡铋、锡铅中选择的金属、或者从上述金属中选择的大于或等于两种的金属的化合物的任意者。

9.根据权利要求1至8中任一项所述的玻璃配线基板，其特征在于，

上述绝缘树脂是从环氧系树脂、苯酚系树脂、聚酰亚胺系树脂、环烯烃、PBO树脂、丙烯酸系树脂中选择的一种材料、或者使上述材料中的大于或等于两种的材料组合而成的复合材料。