[发明专利]用于决策反馈均衡器的模拟复用方案有效
| 申请号: | 201880071318.5 | 申请日: | 2018-09-11 |
| 公开(公告)号: | CN111295709B | 公开(公告)日: | 2023-08-08 |
| 发明(设计)人: | R·斯里拉曼尼;D·B·彭妮 | 申请(专利权)人: | 美光科技公司 |
| 主分类号: | G11C5/14 | 分类号: | G11C5/14;G11C7/10 |
| 代理公司: | 北京律盟知识产权代理有限责任公司 11287 | 代理人: | 王龙 |
| 地址: | 美国爱*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 用于 决策 反馈 均衡器 模拟 方案 | ||
一种装置(10)包含:电压生成器(329),其生成参考信号(202,83,322);多电平偏压生成器(319),其耦合到所述电压生成器(329)以接收所述参考信号(202,83,322)并至少部分地基于所述参考信号(202,83,322)而生成多个偏压电平信号(202)。所述多电平偏压生成器(319)将所述多个偏压电平信号(202)传输到多个复用器(332),每个复用器(332)接收选择信号(333)以选择所述多个偏压电平信号(202)的偏压电平信号子集。所述装置(10)还包含决策反馈均衡器(70)的调整电路,其从所述多个复用器(332)中的一个复用器接收偏压电平信号的相应选定子集,并利用所述偏压电平信号的相应选定子集补偿由位流中先前接收到的位造成的位的符号间干扰。
技术领域
本公开的实施例大体上涉及半导体存储器装置的领域。更确切地说,本公开的实施例涉及将一组一或多个偏压电平递送到半导体存储器装置的一或多个决策反馈均衡器(DFE)电路的路由方案。
背景技术
存储器装置的操作速率,包含存储器装置的数据速率,一直随着时间推移而增大。作为存储器装置的速度增大的副作用,由于失真所致的数据错误可能增大。例如,可能发生传输数据之间的符号间干扰,因此先前接收到的数据影响目前接收到的数据(例如,先前接收到的数据影响且干扰随后接收到的数据)。校正此干扰的一个方式是通过使用决策反馈均衡器(DFE)电路,其可经编程以抵消(即,撤销、减轻或抵消)信道对传输数据的作用。
另外,校正传输信号的失真仍旧很重要。然而,常规的失真校正技术可能不会充分地校正信号的失真。DFE电路可能需要生成特定输入偏压电平,但正常这些偏压电平的生成会受到不同过程、电压和温度(PVT)的变化的影响,且可能不会针对各种PVT条件极其精确地生成输入偏压电平。因为在针对PVT条件不具有容限的情况下生成的偏压电平而产生的错误可导致最终数据出现额外失真,由此降低了在存储器装置内传输的数据的可靠性。此外,各种信道条件可能需要生成和编程各种输入偏压电平。也就是说,存储器装置可含有多个信道,每个信道可经受它们自身的信道失真条件。因此,每一信道可接收不同偏压电平,并且随着信道数目的增加,将每个偏压电平路由到相应信道所涉及的资源和时间也会增加。
附图说明
在阅读以下详细描述并且参考附图之后可以更好地理解本公开的各个方面,在附图中:
图1是示出根据本公开的实施例的存储器装置的某些特征的简化框图;
图2示出的框图示出了根据本公开的实施例的图1的I/O接口的数据收发器;
图3示出根据本公开的实施例的图2的数据收发器的实施例的框图;
图4示出根据本公开的实施例的图2的数据收发器的第二实施例的框图;
图5示出根据本公开的实施例的失真校正电路的框图;
图6示出根据本公开的实施例的图5的决策反馈均衡器(DFE)的一部分的电路图;
图7示出根据本公开的实施例的失真校正电路的第二实施例;
图8示出根据本公开的实施例的图7的DFE的一部分的电路图;
图9示出根据本公开的实施例的偏压生成器的实施例的框图;
图10示出根据本公开的实施例的图9的偏压生成器的接收器的实施例;
图11示出根据本公开的实施例的图9的偏压生成器生成偏压电平的方法的实施例的流程图;
图12示出根据本公开的实施例的多电平偏压生成器的实施例的框图;
图13示出根据本公开的实施例的路由方案的框图,所述路由方案可以将图12的多电平偏压生成器的输出递送到存储器装置的合适部分;
图14示出根据本公开的实施例的图13的路由方案的复用器的框图;
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