[发明专利]成像元件、成像元件的制造方法和电子设备

说明书

本技术涉及能够减少由于入射光的反射光引起的疑似信号输出的成像元件、成像元件的制造方法和电子设备。所述成像元件(1)设有：半导体基板(21)，其设有针对各像素的光电转换单元(PD)，所述光电转换单元对入射光执行光电转换；滤色层(51)，其形成在所述半导体基板上，并且使预定波长的入射光通过；遮光壁(52)，其形成在所述半导体基板上的像素边界处，并且高于所述滤色层；和保护基板(26)，其经由密封树脂(25)配置，并且保护所述滤色层的上表面侧。例如，本技术能够适用于具有CSP结构的成像元件。

技术领域

本技术涉及成像元件、成像元件的制造方法和电子设备，更具体地，涉及能够减少由入射光的反射光引起的疑似信号输出的成像元件、成像元件的制造方法和电子设备。

背景技术

提出了一种背面照射型固态成像装置的结构。在该结构中，遮光壁形成在比滤色层低的层处，以防止入射光进入相邻像素中(例如，参见专利文献1)。此外，有时遮光壁也形成直至滤色层的高度(例如，参见专利文献2)。

引用文献列表

专利文献

专利文献1：日本专利申请特开No.2013-251292

专利文献2：国际公开No.2016/114154

发明内容

发明要解决的技术问题

然而，入射光有时会在半导体基板的表面或片上透镜(OCL)的表面上反射，在配置于上侧的盖玻璃或IR截止滤色器上再反射，然后再入射到固态成像装置上。需要进一步的独创性来减少称为闪光和重影的疑似信号输出。

鉴于上述情况作出了本技术，并且本技术能够减少由入射光的反射光引起的疑似信号输出。

解决问题的技术方案

本技术第一方面的成像元件包括：半导体基板，其包括针对各像素的光电转换单元，所述光电转换单元对入射光执行光电转换；滤色层，其形成在所述半导体基板上，并且使预定波长的入射光通过；遮光壁，其在所述半导体基板上的像素边界处以高度大于所述滤色层的高度形成；和保护基板，其经由密封树脂配置，并且保护所述滤色层的上表面侧。

本技术第二方面的成像元件的制造方法包括：在半导体基板上形成使预定波长的入射光通过的滤色层，所述半导体基板包括针对各像素的光电转换单元，所述光电转换单元对入射光执行光电转换；在所述半导体基板上的像素边界处形成高度大于所述滤色层的高度的遮光壁；和经由密封树脂将保护基板粘附到所述滤色层的上侧。

本技术第三方面的电子设备包括成像元件，所述成像元件包括：半导体基板，其包括针对各像素的光电转换单元，所述光电转换单元对入射光执行光电转换；滤色层，其形成在所述半导体基板上，并且使预定波长的入射光通过；遮光壁，其在所述半导体基板上的像素边界处以高度大于所述滤色层的高度形成；和保护基板，其经由密封树脂配置，并且保护所述滤色层的上表面侧。

在本技术的第一至第三方面中，在半导体基板上形成有使预定波长的入射光通过的滤色层，所述半导体基板包括针对各像素的光电转换单元，所述光电转换单元对入射光执行光电转换；在所述半导体基板上的像素边界处形成有高度大于所述滤色层的高度的遮光壁；并且经由密封树脂将保护基板粘附到所述滤色层的上侧。

成像元件和电子设备可以是独立的装置，或者可以是合并在其他装置中的模块。

发明的效果

根据本技术的第一至第三方面，能够减少由入射光的反射光引起的疑似信号输出。

注意，这里记载的效果不必须受到限制，并且可以呈现本公开中记载的任何效果。

附图说明

图1是作为本技术适用的实施方案的成像元件的断面图。