[发明专利]减少静电放电电路中的噪声影响

权利要求书

1.一种直接功率注入DPI电路，其用于减少耦合到受保护引脚的静电放电ESD电路中的噪声影响，所述DPI电路包括：

输出节点，其用于耦合到互补式金属氧化物硅CMOS电力装置的栅极，所述互补式金属氧化物硅电力装置经耦合以在被导通时将所述受保护引脚上的ESD事件携载到接地；

输入节点，其用于耦合到所述受保护引脚；

第一N型金属氧化物硅NMOS晶体管，其具有耦合到所述输出节点的漏极、耦合到下部轨的源极，及栅极；

电荷泵电路，其耦合于所述输入节点与所述第一NMOS晶体管的所述栅极之间；及

第一电阻器，其具有耦合到所述第一NMOS晶体管的所述栅极的第一端子及耦合到所述下部轨的第二端子。

2.根据权利要求1所述的DPI电路，其中所述电荷泵电路包括：第一电容器，其具有耦合到所述输入节点的第一端子及通过第一二极管耦合到所述第一NMOS晶体管的所述栅极的第二端子；及第二二极管，其耦合于所述下部轨与所述第一电容器与所述第一二极管之间的一点之间。

3.根据权利要求1所述的DPI电路，其进一步包括第二电容器，所述第二电容器具有耦合到所述第一NMOS晶体管的所述栅极的第一端子及耦合到所述下部轨的第二端子。

4.根据权利要求1所述的DPI电路，其进一步包括：

第二NMOS晶体管，其具有耦合到所述第一NMOS晶体管的所述栅极的漏极、耦合到所述下部轨的源极及经耦合以接收停用信号的栅极。

5.根据权利要求4所述的DPI电路，其进一步包括：

调节器，其经耦合以在既定节点上提供经选择电压；及

第三二极管，其具有耦合到所述既定节点的第一端子及耦合到所述电荷泵的第二端子。

6.根据权利要求5所述的DPI电路，其中所述调节器包括第二电阻器，所述第二电阻器在上部轨与所述下部轨之间与第四二极管及第五二极管串联耦合。

7.一种芯片上系统SOC，其包括：

驱动器，其经耦合以在受保护引脚上提供输出信号；

互补式金属氧化物硅CMOS电力装置，其耦合于所述受保护引脚与下部轨之间且具有栅极；及

直接功率注入DPI电路，其包括：

输出节点，其耦合到所述CMOS电力装置的所述栅极；

输入节点，其耦合到所述受保护引脚；

第一N型金属氧化物硅NMOS晶体管，其具有耦合到所述输出节点的漏极、耦合到下部轨的源极，及栅极；

电荷泵电路，其耦合于所述输入节点与所述第一NMOS晶体管的所述栅极之间；

第一电阻器，其具有耦合到所述第一NMOS晶体管的所述栅极的第一端子及耦合到所述下部轨的第二端子；及

第二NMOS晶体管，其具有耦合到所述第一NMOS晶体管的所述栅极的漏极、耦合到所述下部轨的源极及经耦合以接收停用信号的栅极。

8.根据权利要求7所述的SOC，其中所述电荷泵电路包括：第一电容器，其具有耦合到所述输入节点的第一端子及通过第一二极管耦合到所述第一NMOS晶体管的所述栅极的第二端子；及第二二极管，其耦合于所述下部轨与所述第一电容器与所述第一二极管之间的一点之间。

9.根据权利要求7所述的SOC，其中所述DPI电路进一步包括第二电容器，其具有耦合到所述第一NMOS晶体管的所述栅极的第一端子及耦合到所述下部轨的第二端子。

10.根据权利要求7所述的SOC，其进一步包括：

第二电阻器，其在上部轨与所述下部轨之间与第三二极管及第四二极管串联耦合；及

第五二极管，其具有耦合于所述第二电阻器与所述第三二极管之间的第一端子及耦合于所述第一电容器与所述第二二极管之间的第二端子。