[发明专利]亚微米间距金属层上的模拟电容器

权利要求书

1.一种微电子装置，其包括：

电介质层；

所述电介质层上的电容器，所述电容器包含：

所述电介质层上的下板；

所述下板上的电容器电介质层，所述电容器电介质层包含：所述下板上方的下二氧化硅层；所述下二氧化硅层上方的氮氧化硅层；和所述氮氧化硅层上的上二氧化硅层；和

所述电容器电介质层上方的上板，其中所述上板从所述下板的侧向周边凹进，所述下二氧化硅层、所述氮氧化硅层和所述上二氧化硅层的至少一部分在所述下板上延伸超过所述上板，所述电容器电介质层在所述下板上由所述上板暴露的地方提供波长为248纳米的抗反射层；和

所述电介质层上的互连件，所述互连件和所述下板具有相似的结构和组成，其中所述下二氧化硅层、所述氮氧化硅层和所述上二氧化硅层的所述部分在所述互连件上方延伸。

2.根据权利要求1所述的微电子装置，其中：

所述下二氧化硅层具有3纳米到7纳米的厚度；

所述氮氧化硅层具有20纳米到30纳米的厚度；并且

上二氧化硅层具有8纳米到12纳米的厚度。

3.根据权利要求1所述的微电子装置，其中所述氮氧化硅层在248纳米的波长下具有1.85到1.95的折射率的实部的平均值

4.根据权利要求3所述的微电子装置，其中所述上二氧化硅层的延伸超过所述上板的所述部分的厚度为至少3纳米。

5.根据权利要求1所述的微电子装置，其中所述下板和所述互连件各自包含铝层，所述铝层主要包含铝和所述铝层上方的覆盖层，所述覆盖层包含选自由以下组成的群组的材料：氮化钛和氮化钽。

6.根据权利要求1所述的微电子装置，其中所述上板具有100纳米到150纳米的厚度，并且包含选自由以下组成的群组的材料：氮化钛和氮化钽。

7.根据权利要求1所述的微电子装置，其中所述互连件是第一互连件，并且所述微电子装置进一步包括所述电介质层上的第二互连件，所述第二互连件和所述第一互连件具有相似的结构和组成，所述第一互连件和所述第二互连件的间距小于420纳米，所述间距是所述第二互连件的宽度与所述第一互连件和所述第二互连件之间的空间的宽度之和。

8.根据权利要求1所述的微电子装置，其中所述电介质层是第一电介质层，并且所述微电子装置进一步包括：

所述电容器和所述互连件上方的第二电介质层；

通过所述第二电介质层的第一通孔，所述第一通孔接触所述上板；和

通过所述第二电介质层的第二通孔，所述第二通孔接触所述互连件，所述第二通孔和所述第一通孔具有相似的结构和组成。

9.根据权利要求1所述的微电子装置，其中所述电介质层是第一电介质层，并且所述微电子装置进一步包括：

所述电容器和所述互连件上方的第二电介质层；

通过所述第二电介质层的第一通孔，所述第一通孔接触所述上板；和

通过所述第二电介质层的第二通孔，所述第二通孔接触所述下板，所述第二通孔和所述第一通孔具有相似的结构和组成。