[发明专利]高K介电特征均匀性的方法

权利要求书

1.一种形成垂直传输鳍式场效应晶体管的方法，包括：

在衬底上形成掺杂层；

在所述掺杂层上形成多层鳍，其中，所述多层鳍包括下修整层部分、上修整层部分以及在所述下修整层部分和所述上修整层部分之间的鳍状沟道部分；

去除所述下修整层部分的一部分以形成下修整层柱；

去除所述上修整层部分的一部分以形成上修整层柱；

在所述上修整层柱附近形成上凹槽填充物，在所述下修整层柱附近形成下凹槽填充物；以及

去除所述鳍状沟道部分的一部分以在所述上修整层柱和所述下修整层柱之间形成鳍状沟道柱。

2.如权利要求1所述的方法，还包括：在所述上凹槽填充物和所述鳍状沟道柱上形成高k介电层。

3.如权利要求2所述的方法，其中，所述高k介电层选自包括由氧化铪(HfO)、氧化铪硅(HfSiO)、氧化氮化铪硅(HfSiON)、氧化镧(LaO)、镧铝氧化物(LaAlO)、氧化锆(ZrO)、锆氧化硅(ZrSiO)、氧氮化锆硅(ZrSiON)、氧化钽(TaO)、氧化钛(TiO)和氧化铝(AlO)组成的组。

4.如权利要求2所述的方法，还包括：在所述高k介电层上形成保护套层，以及从所述上凹槽填充物的侧壁上的所述高k介电层上去除所述保护套层的一部分以形成保护裙套。

5.如权利要求4所述的方法，还包括：去除所述上凹槽填充物的所述侧壁上的所述高k介电层的一部分，以在所述鳍状沟道柱上形成高k沟道衬里。

6.如权利要求5所述的方法，其中，所述高k介电层的悬垂部分保留在所述上凹槽填充物的底表面上。

7.如权利要求6所述的方法，还包括：去除所述保护裙套。

8.如权利要求7所述的方法，还包括：在所述高k沟道衬里和所述上凹槽填充物的侧壁上形成功函数层。

9.如权利要求8所述的方法，还包括在所述功函数层上形成寄宿衬里。

10.一种垂直传输鳍式场效应晶体管，包括：

在衬底上的底部源极/漏极区；

在所述底部源极/漏极区上的下修整层柱；

在所述下修整层柱上的鳍状沟道柱；

在所述鳍状沟道柱上的上修整层柱；

在所述上修整层柱的侧壁上的上凹槽填充物；以及

在所述鳍状沟道柱和上凹槽填充物的底部表面上的高k沟道衬里。

11.如权利要求10所述的垂直传输鳍式场效应晶体管，其进一步包含围绕所述上凹槽填充物和所述上修整层柱的硬掩模套环。

12.如权利要求10所述的垂直传输鳍式场效应晶体管，还包括：在所述高k沟道衬里上的功函数层。

13.如权利要求12所述的垂直传输鳍式场效应晶体管，其中，所述高k沟道衬里的材料选自包括由氧化铪(HfO)、氧化铪硅(HfSiO)、氧化氮化铪硅(HfSiON)、氧化镧(LaO)、镧铝氧化物(LaAlO)、氧化锆(ZrO)、锆氧化硅(ZrSiO)、氧氮化锆硅(ZrSiON)、氧化钽(TaO)、氧化钛(TiO)和氧化铝(AlO)组成的组。

14.如权利要求12所述的垂直传输鳍式场效应晶体管，其中所述下修整层柱和所述上修整层柱是硅锗，并且所述鳍状沟道柱是硅。