[发明专利]有机光电二极管中有机光电转换层的P活性材料

权利要求书

1.一种透明P材料，

当包含在P:N异质结或P:N双层或多层结中，特别是P:N1:N2或P1:P2:N异质结或多层结中时，所述透明P材料具有经由HOMO分离过程有效地分离在有色N或有色N材料的混合物(N1:N2)中或在另一有色P或有色P和N材料的混合物(P2:N)中产生的激子的质量，

和/或具有从所述有色N或所述有色N材料的混合物、从另一有色P材料或从有色N和另一P材料的混合物接受空穴的质量，

和/或具有输送空穴的质量，

其中，

透明是指：

-在约450nm至约700nm的区域内的可见波长范围内的消光系数小于约60,000M^-1cm^-1，在约400nm至约450nm的区域内的可见波长范围内的消光系数小于约100,000M^-1cm^-1，或

-对于大于450nm的波长，吸收系数(在单一材料薄膜中)小于70,000cm^-1，或

-对于大于500nm的波长，吸收系数(在单一材料薄膜中)小于40,000cm^-1，

并且

有色是指在约400nm至约700nm的区域内的可见波长范围内的吸收系数大于约60,000cm^-1(在该区域的任何地方具有最大值或在该区域的任何地方吸收)。

2.一种透明P材料，优选地，根据权利要求1所述的透明P材料，其中，所述材料:

-当使用沉积方法(例如，真空沉积或旋涂)时，是形成高质量均质膜的有机基化合物，

-在约450nm至约700nm的区域中的可见波长范围内具有小于约60,000M^-1cm^-1的消光系数，在约400nm至约450nm的区域中的可见波长范围内具有小于约100,000M^-1cm^-1的消光系数，

并且

-当使用沉积方法(例如，真空沉积或旋涂)时，是形成高质量均质膜的有机基化合物，

-对于大于450nm的波长，吸收系数(在单一材料薄膜中)小于70,000cm^-1，或

-对于大于500nm的波长，吸收系数(在单一材料薄膜中)小于40,000cm^-1。

3.根据权利要求1或2所述的透明P材料，其选自以下组：

噻吩基材料，

硒吩基材料，以及

二聚体。

4.根据权利要求3所述的透明P材料，其中，所述材料是由通式IX表示的噻吩基材料或硒吩基材料

其中，

X和Y相同或不同，并且每次出现时独立地选自CR₂、S、O、Se、N-R和Si-R₂，其中，R₂选自H、CH₃、CF₃、苯基、烷基和芳基，并且

R选自H、直链和支链烷基、环烷基、直链和支链烷氧基、卤代烷基、卤原子、烷基或芳基磺胺基、烷基或芳基胺、芳基、卤代芳基、联芳基、卤代烷基、杂芳基和芴基。

5.根据权利要求4所述的透明P材料，其中，所述材料是由通式IX表示的噻吩基材料或硒吩基材料

其中，

X和Y相同或不同，并且每次出现时独立地选自S和Se，

和/或

R选自

以及

其中，R₄、R₅、R₆相同或不同，并且每次出现时独立地选自H、F、CH₃、CF₃、芳基和烷基。