[发明专利]保护膜形成用膜、保护膜形成用复合片及半导体芯片的制造方法

权利要求书

1.一种保护膜形成用膜，其为包含固化性成分的能量射线固化性的保护膜形成用膜，其中，

所述固化性成分仅由能量射线固化性成分构成，

通过下述方法测定的保护膜形成用膜与硅晶圆之间的粘着力为3N/25mm以上，

对所述保护膜形成用膜照射紫外线而制成保护膜时，通过下述方法测定的保护膜的剪切强度为10.5N/3mm×3mm以上，

关于保护膜形成用膜与硅晶圆之间的粘着力，将厚度为25μm的所述保护膜形成用膜贴附在硅晶圆上之后，以使所述保护膜形成用膜与硅晶圆相互接触的面彼此呈180°的角度的方式，以300mm/min的剥离速度从硅晶圆上剥离所述保护膜形成用膜，测定此时的剥离力(N/25mm)，将测定值作为保护膜形成用膜与硅晶圆之间的粘着力，

关于保护膜的剪切强度，将厚度为25μm的所述保护膜形成用膜贴附在硅晶圆上之后，以照度为195mW/cm²、光量为170mJ/cm²的条件对保护膜形成用膜照射紫外线，使保护膜形成用膜固化而制成保护膜，切割所得到的带保护膜的硅晶圆，制成大小为3mm×3mm的带保护膜的硅芯片，仅对所得到的带保护膜的硅芯片中的保护膜以200μm/s的速度沿保护膜的表面方向施加力，将施加至保护膜被破坏时为止的力的最大值(N/3mm×3mm)作为保护膜的剪切强度。

2.一种保护膜形成用复合片，其具备支撑片，并在所述支撑片上具备权利要求1所述的保护膜形成用膜。

3.一种半导体芯片的制造方法，其具备：

将权利要求1所述的保护膜形成用膜或权利要求2所述的保护膜形成用复合片中的保护膜形成用膜贴附在半导体晶圆上；

对贴附于所述半导体晶圆后的所述保护膜形成用膜照射能量射线，形成保护膜；

以聚焦于设定在所述半导体晶圆的内部的焦点的方式，隔着所述保护膜或保护膜形成用膜照射激光，在所述半导体晶圆的内部形成改性层；

将形成有所述改性层的所述半导体晶圆与所述保护膜或保护膜形成用膜一同沿所述保护膜或保护膜形成用膜的表面方向扩张，切断所述保护膜或保护膜形成用膜，且同时在所述改性层的部位分割所述半导体晶圆，得到多个半导体芯片。