[发明专利]制造微加工通道的方法有效
| 申请号： | 201880067983.7 | 申请日： | 2018-09-17 |
| 公开（公告）号： | CN111247090B | 公开（公告）日： | 2023-04-25 |
| 发明（设计）人： | 怡园·赵;亨克-威廉·维特坎普;雅香·曾;乔斯特·康拉德·洛特斯;雷姆科·约翰·维格林克 | 申请（专利权）人： | 伯金公司;特文特大学;技术科学基金会 |
| 主分类号： | B81C1/00 | 分类号： | B81C1/00 |
| 代理公司： | 北京国昊天诚知识产权代理有限公司 11315 | 代理人： | 南霆 |
| 地址： | 荷兰*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 制造 加工 通道 方法 | ||
1.一种制造微加工通道的方法，包括以下步骤：
-提供第一材料的基底并具有位于所述基底中的不同材料的埋层；
-通过去除所述基底中的至少一部分从而在所述基底中形成至少两个沟槽，其中所述沟槽彼此隔开一距离，并且其中所述沟槽至少部分地基本上平行于彼此延伸，其中所述沟槽朝着所述埋层延伸；
-通过提供不同于所述第一材料的第二材料并且至少以所述第二材料填充所述至少两个沟槽从而形成至少两个被填充的沟槽；
-通过去除在所述被填充的沟槽之间延伸的所述基底的至少一部分从而在所述被填充的沟槽之间形成长形腔；
-通过在所述腔中提供材料层并且封闭所述腔从而形成被封闭的通道；以及
-为所述通道的壁设置侧壁加热装置。
2.如权利要求1所述的方法，其中，在形成长形腔的步骤之后，所述腔至少部分地通过所述被填充的沟槽来界定。
3.如权利要求1所述的方法，其中，所述方法包括通过去除所述基底中的至少一部分来定义所述通道外部的步骤。
4.如权利要求3所述的方法，其中，所述去除包括释放蚀刻的步骤。
5.如权利要求1所述的方法，其中，所述基底包括绝缘体上硅晶圆。
6.如权利要求5所述的方法，其中，所述基底包括器件层、BOX层和处理层。
7.如权利要求1所述的方法，其中，形成至少两个沟槽的步骤包括蚀刻出所述两个沟槽。
8.如权利要求1所述的方法，其中，形成至少两个被填充的沟槽的步骤包括低压化学气相沉积的步骤。
9.如权利要求1所述的方法，其中，所述第二材料包括多晶硅或单晶硅。
10.如权利要求1所述的方法，其中，形成长形腔的步骤包括蚀刻出所述长形腔。
11.如权利要求10所述的方法，其中，所述蚀刻包括各向同性蚀刻所述基底。
12.如权利要求1所述的方法，其中，形成被封闭的通道的步骤包括低压化学气相沉积的步骤。
13.如权利要求1所述的方法，其中，在通过提供材料层以形成所述被封闭的通道时，所述材料层包括低应力富硅氮化硅。
14.如权利要求1所述的方法，其中，还包括用于创建掩模的掩模形成步骤。
15.如权利要求14所述的方法，其中，所述掩模形成包括基底的湿热氧化。
16.如权利要求14所述的方法，其中，包括图案化所述掩模的步骤。
17.如权利要求16所述的方法，其中，所述图案化包括反应离子蚀刻。
18.如权利要求1至17中任一项所述的方法，其中，通道内壁材料被制造成化学惰性的。
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