[发明专利]具有氮化硼合金接触层的III族氮化物半导体器件及其制造方法

权利要求书

1.一种用于形成III族氮化物半导体器件(300A、300B、300C)的方法，所述方法包括：

确定(205)第一III族氮化物接触层(310、320)和第一金属接触(325A、325B)的功函数，其中，所述第一III族氮化物接触层(310、320)的功函数是基于所述第一III族氮化物接触层(310、320)的III族元素来确定的；

基于所确定的所述第一III族氮化物接触层(310、320)的功函数和所述第一金属接触(325A、325B)的功函数，确定(210)应该调节所述第一III族氮化物接触层的功函数(310、320)；以及

形成(215)所述III族氮化物半导体器件(300A、300B、300C)，其包括：与第二III族氮化物接触层(310、320)相邻的所述第一III族氮化物接触层(310、320)、布置在所述第一III族氮化物接触层(310、320)上的所述第一金属接触(325A、325B)以及布置在所述第二III族氮化物接触层(310、320)上的第二金属接触(325A、325B)；

其中，所形成的III族氮化物半导体器件(300A、300B、300C)的所述第一III族氮化物接触层(310、320)是具有一定量的硼的氮化硼合金，以相对于基于所述第一III族氮化物接触层(310、320)的III族元素确定的第一金属接触(325A、325B)的功函数来调节所述第一III族氮化物接触层(310、320)的功函数；

其中，基于所确定的所述第一金属接触的功函数和基于根据所述第一III族氮化物接触层的III族元素确定的第一III族氮化物接触层的功函数，在所述第一III族氮化物接触层与所述第一金属接触之间将形成肖特基接触，以及

其中，基于所确定的所述第一金属接触的功函数和基于根据氮化硼合金确定的所述第一III族氮化物接触层的功函数，在所形成的第一III族氮化物接触层与所形成的第一金属接触之间形成欧姆接触。

2.根据权利要求1所述的方法，还包括：

确定所述第二III族氮化物接触层的功函数和所述第二金属接触的功函数；和

基于所确定的所述第二III族氮化物接触层的功函数和所述第二金属接触的功函数，确定应该调节所述第二III族氮化物接触层的功函数，

其中，所形成的III族氮化物半导体器件的所述第二III族氮化物接触层是具有一定量的硼的氮化硼合金，以相对于基于所述第二III族氮化物接触层的III族元素确定的所述第二金属接触的功函数来调节所述第二III族氮化物接触层的功函数。

3.根据权利要求2所述的方法，其中，所述第二III族氮化物接触层的III族元素是镓、铟或铝中的一种或更多种。

4.根据权利要求1所述的方法，其中，所述第一III族氮化物接触层的III族元素是镓、铟或铝中的一种或更多种。

5.根据权利要求1所述的方法，其中，所述III族氮化物半导体器件的形成还包括：

在所述第一III族氮化物接触层与所述第二III族氮化物接触层之间形成半导体层。

6.根据权利要求1所述的方法，其中，所述III族氮化物半导体器件的形成还包括：

在所述第一III族氮化物接触层与所述第二III族氮化物接触层之间形成两个半导体层的异质结。

7.根据权利要求2所述的方法，其中，

基于所确定的所述第二金属接触的功函数和基于根据所述第二III族氮化物接触层的III族元素确定的所述第二III族氮化物接触层的功函数，在所述第二III族氮化物接触层与所述第二金属接触之间形成肖特基接触，以及

基于所确定的所述第二金属接触的功函数和基于根据氮化硼合金确定的所述第二III族氮化物接触层的功函数，在所形成的第二III族氮化物接触层与所形成的第二金属接触之间形成欧姆接触。

8.根据权利要求1所述的方法，其中，所述半导体器件是p-n二极管，所述第一III族氮化物接触层包括氮化铝硼，并且所述第二III族氮化物接触层包括氮化铝镓。

9.根据权利要求8所述的方法，其中，所述第一III族氮化物接触层包括B_0.14Al_0.86N。