[发明专利]具有可切换电流偏置电路的放大器

权利要求书

1.一种电路，包括：

晶体管；

偏置电路，其用于为所述晶体管设置偏置电流，所述偏置电流具有根据馈送到所述偏置电路的参考电流的电流电平；以及

偏置电流电平控制器，其包括：

多个开关，所述开关中的每一个包括：以共源共栅配置连接的MOS FET和GaN FET；以及

电流源电路，其包括多个电流源，所述电流源中的每一个连接在电压源与所述多个开关中的对应一个之间，所述电流源电路响应于馈送到所述MOS FET的栅极的二进制控制信号而将由所述电流源产生的电流组合，组合电流提供馈送到所述偏置电路的参考电流。

2.一种电路，包括：

放大器，其包括：

晶体管，其具有源极电极和漏极电极，所述源极电极和所述漏极电极中的一个耦合到参考电位；所述源极电极和所述漏极电极中的另一个耦合到比参考电位更正的电位；以及栅极电极，其用于耦合到输入信号；

偏置电路，其用于为所述放大器设置偏置电流，所述偏置电流在所述放大器的所述源极电极与所述漏极电极之间传递，所述偏置电流具有根据馈送到所述偏置电路的参考电流的电流电平；以及

偏置电流电平控制器，其包括：

多个开关，所述开关中的每一个包括：以共源共栅配置连接的MOS FET和GaN FET，所述MOS FET和所述GaN FET耦合到所述参考电位；以及

电流切换电路，其包括多个电流源，所述电流源中的每一个连接在电压源与所述多个开关中的对应一个之间，所述电流切换电路响应于馈送到所述多个电流源中的对应一个的所述MOS FET的栅极的数字字的多个位中的对应一个而将由所述多个电流源产生的电流组合，组合电流提供馈送到所述偏置电路的参考电流。

3.根据权利要求1所述的可切换电流电路，其中，所述位中的每一个具有低电压电平或高电压电平中的选定一个，并且其中，所述电压源具有大于所述高电压电平的电压。

4.一种用于晶体管的可切换电流偏置电路，包括：

多个，N个共源共栅配置的开关，所述多个，N个共源共栅连接的开关中的每一个由N位数字字中的对应一个馈送，所述开关中的每一个包括：以共源共栅配置连接在地和输出端子之间的MOS FET和GaN FET；

电流源电路，其包括多个，N个电流源，所述N个电流源中的每一个连接至所述N个共源共栅配置的开关中的对应一个的输出端子；

其中，所述N个共源共栅配置的开关中的每一个根据馈送到所述N个共源共栅配置的开关中的这样一个的位来选择性地控制所述N个电流源中的对应一个的“开”或“关”状况；

其中，所述电流源电路响应于所述“开”或“关”状况而将在所述电流源电路的输出处产生的电流组合，这种组合电流在输出总线上产生；以及

放大器，这种放大器包括：

晶体管；以及

偏置电路，其连接到所述输出总线并馈送到所述组合电流，这种晶体管被馈送具有根据所述组合电流的电流电平的偏置电流。