[发明专利]接合体及绝缘电路基板在审
申请号: | 201880066970.8 | 申请日: | 2018-11-01 |
公开(公告)号: | CN111225890A | 公开(公告)日: | 2020-06-02 |
发明(设计)人: | 寺崎伸幸 | 申请(专利权)人: | 三菱综合材料株式会社 |
主分类号: | C04B37/02 | 分类号: | C04B37/02;B23K1/00;H01L23/12;H01L23/36;B23K35/26;B23K35/28;B23K35/30;C22C9/00;C22C9/02;C22C9/06;C22C13/00;C22C21/00 |
代理公司: | 北京德琦知识产权代理有限公司 11018 | 代理人: | 朴圣洁;王珍仙 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 接合 绝缘 路基 | ||
1.一种接合体,其接合由Si系陶瓷构成的陶瓷部件与由铜或铜合金构成的铜部件而成,所述接合体的特征在于,
在形成在所述陶瓷部件与所述铜部件之间的接合层中,在所述陶瓷部件侧形成有由含有活性金属的化合物构成的结晶质的活性金属化合物层。
2.根据权利要求1所述的接合体,其特征在于,
所述活性金属化合物层的厚度被设定在1.5nm以上且150nm以下的范围内。
3.根据权利要求1或2所述的接合体,其特征在于,
所述活性金属化合物层含有活性金属的氮化物或活性金属的氧化物中的任一种。
4.一种绝缘电路基板,其特征在于,具备权利要求1至3中任一项所述的接合体,所述绝缘电路基板具备:由所述陶瓷部件构成的陶瓷基板;和形成在该陶瓷基板的一个表面的由所述铜部件构成的电路层。
5.根据权利要求4所述的绝缘电路基板,其特征在于,
在所述陶瓷基板的与所述电路层相反的一侧的表面形成有金属层。
6.根据权利要求5所述的绝缘电路基板,其特征在于,
所述金属层由铜或铜合金构成。
7.根据权利要求5所述的绝缘电路基板,其特征在于,
所述金属层由铝或铝合金构成。
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