[发明专利]摄像器件和电子设备

权利要求书

1.摄像器件，包括：

被构造成执行光电转换的光电转换单元；

在半导体基板中挖出的沟槽；

在所述沟槽的侧壁上由氧化物膜、氮膜和氧化物膜构成的负固定电荷膜；和

在所述固定电荷膜内形成的电极膜。

2.根据权利要求1所述的摄像器件，

其中，用于构成所述固定电荷膜的所述氧化物膜包括一氧化硅(SiO)，并且用于构成所述固定电荷膜的所述氮膜包括氮化硅(SiN)。

3.根据权利要求1所述的摄像器件，

其中，用于构成所述固定电荷膜的所述氮膜包括多晶硅膜或高介电常数膜(高k膜)。

4.根据权利要求1所述的摄像器件，

其中，用于构成所述固定电荷膜的所述氮膜包括使用如下任何一种材料的膜：氮化硅、铪、锆、铝、钽、钛、镁、钇、镧系元素。

5.根据权利要求1所述的摄像器件，还包括：

与施加电压的电源连接的配线；和

将所述配线与所述电极膜连接起来的接点。

6.根据权利要求1所述的摄像器件，还包括：

在所述光电转换单元的光接收表面侧上形成的遮光膜；和

将所述遮光膜与所述电极膜连接起来的接点。

7.根据权利要求1所述的摄像器件，

其中，所述沟槽未穿透所述半导体基板。

8.根据权利要求5所述的摄像器件，

其中，所述接点与各个像素对应地形成。

9.根据权利要求5所述的摄像器件，

其中，所述接点由多个像素共用。

10.根据权利要求1所述的摄像器件，

其中，所述沟槽被形成得围绕着像素，并且以局部断开的状态形成。

11.电子设备，其配备有摄像器件，其中所述摄像器件包括：

被构造成执行光电转换的光电转换单元；

在半导体基板中挖出的沟槽；

在所述沟槽的侧壁上由氧化物膜、氮膜和氧化物膜构成的负固定电荷膜；和

在所述固定电荷膜内形成的电极膜。