[发明专利]改进数据完整性的NAND单元编码

权利要求书

1.一种用于NAND单元编码的NAND装置，所述NAND装置包括：

NAND单元；及

控制器，其用以：

获得高温指示符；

接收写入操作；及

响应于所述高温指示符而使用经修改编码对NAND单元执行所述写入操作，所述经修改编码包含来自未修改编码的减少数目个电压分布位置而未改变电压分布宽度，电压分布的位置定义为电压范围的集中趋势，所述电压范围由所述集中趋势的宽度的一半内的值所定界，每一电压分布对应于离散编码状态集合。

2.根据权利要求1所述的NAND装置，其中所述经修改编码包含从所述未修改编码中的第一位置到所述经修改编码中的第二位置的不同电压分布位置。

3.根据权利要求2所述的NAND装置，其中所述第二位置在经定义电压范围内。

4.根据权利要求2所述的NAND装置，其中设置由所述未修改编码的所述离散状态集合中对应于所述电压分布位置的状态的读取电压定义的所述电压范围。

5.根据权利要求2所述的NAND装置，其中所述第二位置增加所述电压分布的读取边限。

6.根据权利要求1所述的NAND装置，其中所述未修改编码具有八个离散状态。

7.根据权利要求6所述的NAND装置，其中所述经修改编码具有四个离散状态。

8.根据权利要求7所述的NAND装置，其中分两遍执行所述写入操作，所述第一遍根据所述未修改编码的参数操作，且所述第二遍操作以进行所述经修改编码。

9.根据权利要求8所述的NAND装置，其中所述四个离散状态对应于来自所述八个离散状态的状态三、状态四及状态七，所述状态按电压从低到高排序。

10.根据权利要求1所述的NAND装置，其中所述控制器经布置以使用所述未修改编码对所述NAND单元执行读取操作。

11.根据权利要求1所述的NAND装置，其中所述控制器经布置以：

获得所述高温指示符的清除；

对所述NAND单元执行维护以释放所述NAND单元用于另一写入操作；

接收第二写入操作；及

响应于所述高温指示符的清除而使用所述未修改编码对所述NAND单元执行所述第二写入操作。

12.一种用于NAND单元编码的方法，所述方法包括：

获得高温指示符；

接收写入操作；及

响应于所述高温指示符而使用经修改编码对NAND单元执行所述写入操作，所述经修改编码包含来自未修改编码的减少数目个电压分布位置而未改变电压分布宽度，电压分布的位置定义为电压范围的集中趋势，所述电压范围由所述集中趋势的宽度的一半内的值所定界，每一电压分布对应于离散编码状态集合。

13.根据权利要求12所述的方法，其中所述经修改编码包含将电压分布位置从所述未修改编码中的第一位置改变到所述经修改编码中的第二位置。

14.根据权利要求13所述的方法，其中所述第二位置在经定义电压范围内。

15.根据权利要求13所述的方法，其中设置由所述未修改编码的所述离散状态集合中对应于所述电压分布位置的状态的读取电压定义的所述电压范围。

16.根据权利要求13所述的方法，其中所述第二位置增加所述电压分布的读取边限。

17.根据权利要求12所述的方法，其中所述未修改编码具有八个离散状态。