[发明专利]发光堆叠结构和具有该发光堆叠结构的显示装置在审
| 申请号: | 201880066522.8 | 申请日: | 2018-12-14 |
| 公开(公告)号: | CN111213248A | 公开(公告)日: | 2020-05-29 |
| 发明(设计)人: | 蔡钟炫;张成逵;李豪埈 | 申请(专利权)人: | 首尔伟傲世有限公司 |
| 主分类号: | H01L33/08 | 分类号: | H01L33/08;H01L33/50;H01L21/02;H01L33/36;H01L33/00;H01L27/12;H01L27/15 |
| 代理公司: | 北京铭硕知识产权代理有限公司 11286 | 代理人: | 任旭;张晓 |
| 地址: | 韩国京畿*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 发光 堆叠 结构 具有 显示装置 | ||
1.一种发光堆叠结构,所述发光堆叠结构包括:
一个在另一个上设置的多个外延子单元,每个外延子单元被构造为发射具有彼此不同的波段的有色光;以及
共电极,设置在相邻的外延子单元之间并连接到所述相邻的外延子单元,
其中,外延子单元的发光区域彼此叠置。
2.根据权利要求1所述的发光堆叠结构,其中,外延子单元包括一个在另一个上顺序地设置的第一外延堆叠件、第二外延堆叠件和第三外延堆叠件。
3.根据权利要求2所述的发光堆叠结构,其中,共电极包括设置在第一外延堆叠件与第二外延堆叠件之间或第二外延堆叠件与第三外延堆叠件之间的共用电极。
4.根据权利要求3所述的发光堆叠结构,所述发光堆叠结构还包括:
接触部分,设置在外延子单元上以施加共电压和发光信号,接触部分包括:公共接触部分,将共电压施加到第一外延堆叠件、第二外延堆叠件和第三外延堆叠件;以及第一接触部分、第二接触部分和第三接触部分,将发光信号分别施加到第一外延堆叠件、第二外延堆叠件和第三外延堆叠件。
5.根据权利要求4所述的发光堆叠结构,所述发光堆叠结构还包括:
第一信号线、第二信号线和第三信号线,将发光信号分别施加到第一外延堆叠件、第二外延堆叠件和第三外延堆叠件;以及
公共线,将共电压施加到第一外延堆叠件、第二外延堆叠件和第三外延堆叠件,
其中,第一信号线、第二信号线和第三信号线分别连接到第一接触部分、第二接触部分和第三接触部分,并且公共线连接到公共接触部分。
6.根据权利要求5所述的发光堆叠结构,其中,第一信号线、第二信号线和第三信号线在第一方向上延伸,并且公共线在与第一方向相交的第二方向上延伸。
7.根据权利要求4所述的发光堆叠结构,其中:
公共接触部分包括:第一公共接触电极、第二公共接触电极和第三公共接触电极,将共电压分别施加到第一外延堆叠件、第二外延堆叠件和第三外延堆叠件,并且
第二公共接触电极和第三公共接触电极包括共用电极。
8.根据权利要求7所述的发光堆叠结构,其中,第一外延堆叠件、第二外延堆叠件和第三外延堆叠件中的每个包括p型半导体层、活性层和n型半导体层。
9.根据权利要求8所述的发光堆叠结构,其中,第二外延堆叠件中的n型半导体层、活性层和p型半导体层的堆叠顺序与第一外延堆叠件和第三外延堆叠件中的至少一个中的n型半导体层、活性层和p型半导体层的堆叠顺序不同。
10.根据权利要求9所述的发光堆叠结构,其中,共用电极与第二外延堆叠件的p型半导体层和第三外延堆叠件的p型半导体层直接接触。
11.根据权利要求8所述的发光堆叠结构,其中:
在第二外延堆叠件中,顺序地堆叠p型半导体层、活性层和n型半导体层,并且在第三外延堆叠件中,顺序地堆叠n型半导体层、活性层和p型半导体层。
12.根据权利要求1所述的发光堆叠结构,其中,共用电极与第二外延堆叠件的n型半导体层和第三外延堆叠件的n型半导体层直接接触。
13.根据权利要求7所述的发光堆叠结构,所述发光堆叠结构还包括设置在第二公共接触电极与第三公共接触电极之间的波通滤波器。
14.根据权利要求13所述的发光堆叠结构,其中,第二公共接触电极和第三公共接触电极通过设置在波通滤波器中的接触孔彼此连接。
15.根据权利要求7所述的发光堆叠结构,其中,第一公共接触电极设置在第一外延堆叠件下。
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