[发明专利]化合物、图案形成用基板、光分解性偶联剂、图案形成方法和晶体管的制造方法

说明书

一种化合物，其由下述通式(1)所表示。[式中，X表示卤原子或烷氧基，R¹是选自碳原子数为1～5的烷基、下述式(R2‑1)表示的基团、下述式(R2‑2)表示的基团中的任一种基团，R²是下述式(R2‑1)或(R2‑2)表示的基团，n0为0以上的整数，n1为0～5的整数，n2为1～5的自然数。]

技术领域

本发明涉及化合物、图案形成用基板、光分解性偶联剂、图案形成方法和晶体管的制造方法。

本申请基于2017年10月11日在日本提交的日本特愿2017-197501号和2018年3月13日在日本提交的日本特愿2018-045274号要求优先权，将其内容援引于此。

背景技术

近年来，在半导体元件、集成电路、有机EL显示器用器件等微细器件等的制造中，提出了下述方法：在基板上形成表面特性不同的图案，利用该表面特性的差异来制作微细器件。

作为利用基板上的表面特性的差异的图案形成方法，例如有在基板上形成亲水区域和疏水区域并将功能性材料的水溶液涂布至亲水区域的方法。该方法中，功能性材料的水溶液仅在亲水区域润湿扩展，因而能够形成功能性材料的薄膜图案。

作为能够在基板上形成亲水区域和疏水区域的材料，例如在专利文献1中记载了一种在光照射前后能够改变接触角的含氟化合物。但是，从环境残留性的方面出发，优选不含氟的材料。

现有技术文献

专利文献

专利文献1：日本专利第4997765号公报

发明内容

发明所要解决的课题

本发明的第1方式涉及由下述通式(1)所表示的化合物。

[化1]

[式中，X表示卤原子或烷氧基，R¹是选自碳原子数为1～5的烷基、下述式(R2-1)表示的基团、下述式(R2-2)表示的基团中的任一种基团，R²是下述式(R2-1)或(R2-2)表示的基团，n0为0以上的整数，n1为0～5的整数，n2为1～5的自然数。]

[化2]

[式中，R²¹、R²²各自独立地是碳原子数为1～5的烷基，n为自然数。波浪线表示结合键。]

本发明的第2方式涉及一种图案形成用基板，其具有利用上述本发明第1方式的化合物进行了化学修饰的表面。

本发明的第3方式涉及一种光分解性偶联剂，其由上述本发明第1方式的化合物构成。

本发明的第4方式涉及一种图案形成方法，其是在对象物的被处理面上形成图案的图案形成方法，其具备下述工序：使用上述本发明第1方式的化合物，对上述被处理面进行化学修饰的工序；对经化学修饰的上述被处理面照射规定图案的光，生成由亲水区域和疏水区域构成的潜像的工序；以及在上述亲水区域或疏水区域配置图案形成材料的工序。

本发明的第5方式涉及一种图案形成方法，其是在对象物的被处理面上形成图案的图案形成方法，其具备下述工序：使用上述本发明第1方式的化合物，对上述被处理面进行化学修饰的工序；对经化学修饰的上述被处理面照射规定图案的光，生成由亲水区域和疏水区域构成的潜像的工序；以及在上述亲水区域配置化学镀覆用催化剂，进行化学镀覆的工序。

本发明的第6方式涉及一种晶体管的制造方法，其是具有栅电极、源电极以及漏电极的晶体管的制造方法，其中，包括利用上述第4方式或上述第5方式的图案形成方法形成上述栅电极、上述源电极、上述漏电极中的至少一种电极的工序。

附图说明