[发明专利]化学镀钯液在审

专利信息
申请号: 201880064740.8 申请日: 2018-10-03
公开(公告)号: CN111183245A 公开(公告)日: 2020-05-19
发明(设计)人: 前田刚志;田边克久;河原知博 申请(专利权)人: 上村工业株式会社
主分类号: C23C18/44 分类号: C23C18/44
代理公司: 北京润平知识产权代理有限公司 11283 代理人: 刘兵;田宏
地址: 日本*** 国省代码: 暂无信息
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摘要:
搜索关键词: 化学 镀钯液
【说明书】:

本发明的课题在于提供一种化学镀钯液,其可得到Pd镀膜,该Pd镀膜构成在热过程后也具有优异的引线键合性的镀膜,本发明的化学镀钯液的要旨在于,含有钯化合物、还原剂、络合剂以及选自Ge和稀土类元素中的至少一种。

技术领域

本发明涉及一种化学镀钯液。

背景技术

在电子工业领域中,作为印刷电路板的电路、IC封装体的安装部分或端子部分等的表面处理方法,广泛使用可赋予焊锡接合性及引线键合性等镀膜特性优异的效果的化学镀镍/化学镀钯/置换金(Electroless Nickel Electroless Palladium Immersion Gold:ENEPIG),通过ENEPIG工艺依次实施化学镀镍膜(以下也称为“Ni镀膜”)、化学镀钯膜(以下也称为“Pd镀膜”)、置换镀金膜(以下也称为“Au镀膜”)的镀膜(以下也称为“化学镀Ni/Pd/Au镀膜”)被广泛使用。

近年来,为了适应电子部件的小型化、高密度化所要求的镀膜特性,提出了例如通过改良化学镀钯液(以下也称为“化学镀Pd液”)来改良镀膜特性的技术。

例如,专利文献1提出了一种化学镀Pd液,通过使用铋或铋化合物代替硫化合物作为稳定剂,由此获得具有与使用硫化合物的情况相同程度的高浴稳定性、优异的耐腐蚀性、焊接接合性和引线键合性的膜。

另外,在专利文献2中,作为在镍上具有低孔隙度、能够形成均匀的钯薄膜的钯液,公开了含有钯盐、无机酸和无机化合物(Cu、Tl、Se和Te)的钯液。

现有技术文件

专利文献

专利文献1:专利第4596553号

专利文献2:专利第4792045号

发明内容

广泛使用的化学镀Ni/Pd/Au镀膜,存在在暴露在软熔处理等高温的热过程之前显示优良的引线键合性,但在高温的热过程后引线键合性显著降低的问题。

本发明是着眼于上述情况而进行的,其目的在于提供一种化学镀Pd液,该化学镀Pd液能够得到Pd镀膜,该Pd镀膜构成在高温的热过程后也具有优良的引线键合性的镀膜。

解决了上述课题的本发明的化学镀Pd液,其要旨在于,含有钯化合物、还原剂、络合剂以及选自Ge和稀土类元素中的至少一种。

所述稀土元素优选为选自La、Ce、Sm和Y中的至少一种。

另外,所述镀液中的Ge和稀土类元素的含量合计为0.1-10g/L也是优选的实施方式。

进而,具有以下优选的实施方式,所述络合剂为选自氨和胺化合物中的至少一种,此外作为上述还原剂为选自甲酸、肼、次磷酸化合物、亚磷酸化合物、胺硼烷化合物和硼氢化合物中的至少一种。

通过使用本发明的化学镀Pd液能够得到Pd镀膜,该Pd镀膜构成在软熔处理等的高温的热过程后也具有优良的引线键合性的镀膜。

具体实施方式

本发明的发明人对Pd镀膜上形成Au镀膜的层叠镀膜“以下也称为Pd/Au层叠镀膜”暴露于软熔等高温的热过程中,其后引线键合的连接成功率显著降低的原因进行了深入研究。其结果认为,暴露在高温的热过程中时,Pd扩散到Au镀膜表面,在Au镀膜表面形成的Pd-Au固溶体导致引线键合的连接成功率降低。作为解决这样的问题的对策之一,考虑加厚形成Au镀膜,但成本大幅度上升。

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