[发明专利]经表面处理的研磨垫窗口及包含该窗口的研磨垫

说明书

实施方案涉及用于研磨垫的经表面处理的窗口，其能够防止在CMP工艺中由于窗口的磨损而在检测终点时可能发生的误差，以及包含该窗口的研磨垫。

技术领域

实施方案涉及用于研磨垫的经表面处理的窗口，其能够防止在CMP工艺中由于窗口的磨损而在检测终点时可能发生的误差，以及包含该窗口的研磨垫。

背景技术

化学机械平坦化(CMP)工艺的研磨垫是必不可少的要素，在制造半导体的CMP工艺中起着重要作用。它在实现CMP工艺的性能中起重要作用。用于CMP工艺的研磨垫用于去除晶片上不必要的部分，并且通过在CMP工艺中的均匀研磨操作使晶片的表面光滑。

近年来，已经提出了各种方法来测量晶片的厚度和检测CMP工艺的终止点。例如，为了原位确定晶片表面的平坦度，已经提出了一种方法，该方法将窗口安装在研磨垫中，并通过激光穿过窗口产生的反射光束来测量晶片的厚度。在所述原位方法中，所述窗口必须保持入射光的强度恒定，并且研磨前后的透光率偏差必须很小，以最小化检测终点时的误差。

作为替代方案，韩国专利号10-1109156公开了一种研磨垫，其包括防散射层，用于减少在窗口下侧发生的光散射。

发明内容

技术问题

因此，实施方案的一个目的是提供用于研磨垫的经表面处理的窗口，其能够防止在CMP工艺中由于窗口的磨损而在检测终点时可能发生的误差，以及包含该窗口的研磨垫。

解决技术问题的技术方案

为了实现上述目的，一个实施方案提供了一种用于研磨垫的经表面处理的窗口，其在研磨前对于400nm的光具有0.1％-1.5％的透射率且对于670nm的光具有4.5％-7.5％的透射率。

另一个实施方案提供了一种研磨垫，其包括所述用于研磨垫的经表面处理的窗口。

另一个实施方案提供了一种制备用于研磨垫的经表面处理的窗口的方法，其包括：(1)通过混合氨基甲酸酯类预聚物(urethane-based prepolymer)、固化剂和反应速率控制剂来制备用于研磨垫的窗口；以及

(2)对窗口的一侧进行表面处理，

其中，所述窗口在研磨前对于400nm的光具有0.1％-1.5％的透射率且对于670nm的光具有4.5％-7.5％的透射率。

本发明的有益效果

所述实施方案的窗口具有经表面处理的侧面，使得其具有防止在CMP工艺中由于窗口的磨损而在检测终点时可能发生的误差的效果。

附图说明

图1是一个实施方案的研磨垫的剖视图。

具体实施方式

一个实施方案提供了一种用于研磨垫的经表面处理的窗口，其在研磨前对于400nm的光具有0.1％-1.5％的透射率且对于670nm的光具有4.5％-7.5％的透射率。

所述窗口在研磨前对于800nm的光可以具有5.5％-9.5％的透射率。具体地，所述窗口在研磨前对于400nm的光可以具有0.5％-1.0％的透射率、对于670nm的光可以具有4.5％-6.5％的透射率、以及对于800nm的光可以具有6.5％-8.5％的透射率。

所述窗口对于400nm的光的透射率变化在±10％以内。所述透射率变化可以通过下式1计算。

[式1]

在上式1中，所述研磨后的透射率是在以150rpm的速度研磨氧化硅20小时后测得的透射率。

具体地，所述窗口对于400nm的光的透射率变化可以为5％-10％。