[发明专利]存储器单元的单脉冲验证

说明书

本文中公开内容涉及存储器装置及用于验证所述存储器装置的编程状态的方法。该存储器装置包括耦接到字线的存储器单元。该存储器装置包括耦接到字线的控制器。控制器配置为编程耦接到字线的存储器单元。控制器配置为基于存储器单元的第一子集的编程状态，验证耦接到字线的存储器单元的第一子集的编程状态以及耦接到到字线的存储器单元的第二子集的编程状态。

相关申请的交叉引用

本申请要求于2018年4月26日提交的美国专利申请第15/963,647号、和于2018年2月9日提交的临时专利申请第62/628,906号的优先权，其全部内容通过引用并入本文中。

背景技术

为了帮助读者理解提供以下描述。所提供的信息和引用的参考文献均不认为是现有技术。

半导体存储器在各种电子装置中已经变得越来越流行。半导体存储器可以实现为蜂窝电话、数码相机、个人数字助理、移动计算装置、非移动计算装置和其他装置。操作存储装置包括通过不同的阶段执行不同的电压。例如，通过在编程阶段和验证阶段期间向存储单元施加不同的电压来操作闪速存储器装置。可以采用验证编程状态来确保正确地编程存储器单元。但是，在验证阶段中测试存储器单元中的编程状态可能会产生降低存储器装置的性能的功率消耗和延迟。

附图说明

图1是根据示例实施例的计算机系统的框图。

图2是根据示例实施例的存储系统的存储器单元的电路表示图。

图3是图示根据示例实施例的存储器单元上编程的阈值电压的分布的曲线图。

图4是图示根据示例实施例的阈值电压分布的曲线图。

图5是图示根据示例实施例的RC负载的等效电路图，该RC负载根据存储器单元关于编程电路的位置施加到不同存储器单元。

图6A是图示根据示例实施例的基于向存储器单元施加的单个脉冲来验证存储器单元的编程状态的过程的流程图。

图6B是图示根据另一个示例实施例的基于向存储器单元施加的单个脉冲来验证存储器单元的编程状态的过程的流程图。

图7A和7B图示了根据示例实施例的基于阈值电压的分布来验证存储器单元的编程状态的不同方法。

图8A到8C图示了根据示例实施例的施加到存储器单元的不同脉冲。

图9A图示了当在整个存储器单元上执行编程操作时，在存储器单元处储存数据的功率消耗。

图9B图示了当在存储器单元的子集上执行编程操作时，在存储器单元处储存数据的功率消耗。

图10是图示根据示例实施例的通过向存储器单元施加单个脉冲来执行过冲检测和验证存储器单元的编程状态的过程的流程图。

图11A图示了根据示例实施例的向存储器单元的位线施加的示例电压。

图11B图示了根据示例实施例的向存储器单元的位线施加的示例电压。

结合所附附图，根据以下描述和所附的权利要求，本公开的前述和其他特征将变得显而易见。应当理解这些附图仅描绘根据本公开的若干实施例且因此认为不限于本公开的范围，本公开通过使用所附附图以附加的特指性详细地描述。

具体实施方式

在以下详细的说明书中，参考所附附图，该附图构成说明书的一部分。在附图中，除非上下文另外指示，否则相同的附图标记典型地标识相同的部件。详细的说明书、附图和权利要求中所描述的图示性实施例不意味是限制性的。可以利用其他实施例，且可以做出其他改变，而不会背离本文呈现的主题的精神和范围。将容易理解本公开的方面(如本文总体上描述且在附图图示的)可以布置、替换、组合和设计为各种不同配置，所有的配置是明确地可预期的且成为本说明的部分。