[发明专利]制备含碳化硅的无氮层的方法

权利要求书

1.一种生产含碳化硅层的方法，所述层不含氮，其中

（a） 在第一方法步骤中，将液态含碳和硅溶液或分散体，特别是SiC前体溶胶施加到载体上，

（b） 在第一方法步骤（a）之后的第二方法步骤中，含碳和硅溶液或分散体，特别是SiC前体溶胶，被转化为碳化硅，其中含碳和硅溶液或分散体经受多级热处理，其中

（i）在第一热处理阶段（i）含碳和硅溶液或分散体，特别是SiC前体溶胶，加热至300℃或更高的温度，特别是300℃至1800℃，优选800℃至1000℃，以及

（ii）在第一热处理阶段（i）之后的第二热处理阶段，含碳和硅溶液或分散体，特别是碳化硅前体溶胶，加热至1800℃或更高温度，特别是1800℃至2200℃。

2. 根据权利要求1所述的方法，其特征在于热处理阶段（i） 至少基本上进行5到150分钟，优选10到120分钟，优选15到60分钟，和/或热处理阶段（ii）至少基本上进行10到90分钟，优选10到40分钟，优选40分钟。

3.根据权利要求1或2所述的方法，其特征在于，在第一热处理阶段（i）之前的处理阶段将含碳和硅溶液或分散体，特别是SiC前体溶胶加热至50℃至800℃，特别是100℃至500℃，优选100℃至250℃，尤其是至少5到30分钟，优选5至20分钟，更优选10至18分钟，优选至少基本上15分钟。

4.根据上述任一权利要求所述的方法，其特征在于，在处理阶段（i）含碳和硅溶液或分散体特别是SiC前体溶胶中所含的含氮化合物，被分解和/或转变为气相，特别是，其中所有含氮化合物均经温度处理分解，尤其是转变为气相。

5.根据任一上述权利要求所述的方法，其特征在于，在处理阶段（i）将含碳和硅溶液或分散体特别是SiC前体溶胶转化为玻璃。

6.根据任一上述权利要求的方法，其特征在于，在处理阶段（ii）中，含碳和硅溶液或分散体，特别是SiC前体溶胶，优选在处理阶段（i）中获得的玻璃，转化为结晶碳化硅。

7.根据任一上述权利要求所述的方法，其特征在于所述层被掺杂。

8.根据任一上述权利要求所述的方法，其特征在于，对于第一方法步骤（a）中的层，将含碳和硅溶液或分散体，特别是SiC前体溶胶，作为一层，特别是作为均匀层施加到，优选包含碳化硅更优选包含3C-SiC和/或n-掺杂的载体上。

9.根据任一上述权利要求所述的方法，其特征在于，在方法步骤（a）中，所述含碳和硅的溶液或分散体，特别是SiC前体溶胶，通过涂覆工艺，特别是通过浸涂、旋涂、喷涂、轧制、压制或印刷施加到所述载体上，优选通过浸涂、旋涂、喷涂或印刷，优选通过浸涂。

10.根据任一上述权利要求所述的方法，其特征在于，在方法步骤（a）中，将含碳和硅溶液或分散体，尤其是SiC前体溶胶施加到层厚在1μm到1000μm的范围内，特别是5μm到500μm，优选8μm到300μm，优选10μm到10μm的载体上。

11.根据任一上述权利要求所述的方法，其特征在于所述载体的材料选自碳，特别是石墨和陶瓷材料，特别是碳化硅、二氧化硅和矿物材料，特别是刚玉，优选蓝宝石和氧化铝以及金属，特别是钢及其混合物。

12.根据任一上述权利要求所述的方法，其特征在于，在热处理之后，特别是在方法步骤（b）之后，移除所述载体。

13. SiC层（2）和/或SiC晶片，特别是通过根据任一上述权利要求所述的方法生产的，其中SiC层（2）和/或SiC晶片包括碳化硅，优选3C-SiC，其特征在于，

SiC层（2）和/或SiC晶片完全无氮。