[发明专利]用于使用IR辐射选择性地加热标靶的装置

权利要求书

1.一种用于处理标靶的装置，该装置包括：

a.IR源，其适于并且布置成从具有第一表面积的发射表面发射IR辐射；

b.一组细长主体，其由1个或更多个细长主体组成，每个细长主体都具有一入口，统称为入口，并且每个细长主体都具有一出口，统称为出口；

其中，从所述IR源发射的IR辐射经由所述入口耦合到所述一组细长主体中，并经由所述出口在具有第二表面积的出口表面上与所述细长主体解耦；

其中，所述第一表面积大于所述第二表面积。

2.根据权利要求1所述的装置，其中，所述IR源包括热发射器。

3.根据权利要求1或2所述的装置，其中，所述IR源包括半导体。

4.根据前述权利要求中任一项所述的装置，其中，所述IR源包括IR-LED。

5.根据前述实施方案中任一项所述的装置，其中，所述IR源具有以下特性中的一个或多个：

a.发射表面的光功率通量在1至250W/cm²的范围内；

b.峰值发射波长在800至1600nm的范围内；

c.发射波长的带宽在1至50nm的范围内；

d.总功率输出在10W至100kW的范围内。

6.根据前述实施方案中任一项所述的装置，其中，所述IR源具有以下特性中的一个或多个：

a.发射表面的光功率通量在1至60W/cm²的范围内；

b.峰值发射波长在800至3000nm的范围内；

c.发射波长的带宽在100至4800nm的范围内；

d.总输出功率在10W至100kW的范围内；

e.包括电绝缘体，在正常操作期间其温度在200℃至1100℃的范围内。

7.根据前述权利要求中任一项所述的装置，其中，所述细长主体由玻璃制成。

8.根据前述实施方案中任一项所述的装置，其中，所述IR辐射源包括与所述一组细长主体一一对应的IR源元件；以及其中，来自每个IR源元件的光耦合到对应的细长主体中。在该实施方案的一个方面，在每个IR源元件与对应的细长主体之间设置有光学元件。

9.根据前述实施方案中任一项所述的装置，其中，所述装置被布置和配置为提供在10W至10kW的范围内的、从所述出口输出的最大总功率。

10.一种能通过从根据权利要求1至9中任一项所述的装置向标靶施加IR辐射获得的被热处理过的标靶。

11.一种用于制备被处理过的基材的方法，所述方法包括以下步骤：

a.提供基材，该基材具有腔体和位于所述腔体内部的标靶；

b.提供位于所述腔体外部的IR源；

c.提供由一个或更多个细长主体组成的一组细长主体，每个细长主体都具有在所述腔体外部的入口和在所述腔体内部的出口；

d.将所述IR源发射的IR辐射经由所述细长主体转移到所述标靶，以获得所述被热处理过的基材。

12.一种能通过根据权利要求11所述的方法获得的被热处理过的标靶。

13.一种用于制备复合物的方法，包括以下方法步骤：

a.提供根据权利要求10或12所述的被热处理过的标靶；

b.使所述被热处理过的标靶与另一部件接触以获得所述复合物。

14.一种能通过根据权利要求13所述的方法获得的复合物。

15.IR LED阵列在用于对基材的腔体内部进行热处理的装置中的用途，其中，所述IRLED位于所述腔体的外部。

16.根据权利要求1至9中任一项所述的装置的用于改善加热的位置选择性的用途。