[发明专利]使用合成石墨粉末生产导热薄膜的方法

权利要求书

1.一种制备导热薄膜的方法，包括：

(1)在减压条件下预处理可膨胀的合成石墨粉末；

(2)将嵌入剂添加至经预处理的合成石墨粉末；

(3)对已添加所述嵌入剂的所述合成石墨粉末进行热处理；以及

(4)轧制经热处理的合成石墨粉末；

其中，步骤(1)中的所述合成石墨粉末具有50至200μm的粒径；所述预处理作为合成石墨粉末在500至3000℃、10^-2至10^-5Torr的减压条件下的热处理来进行；步骤(3)中的所述热处理在1500至3000℃的温度下进行。

2.根据权利要求1所述的制备导热薄膜的方法，其中，步骤(1)中的所述合成石墨粉末为石墨化焦炭粉末、凝析石墨粉末或它们的混合粉末。

3.根据权利要求1所述的制备导热薄膜的方法，其中，所述嵌入剂包括40％至60％的浓度的选自硫酸、硝酸、氯酸钾、硝酸钾及它们的混合物的第一氧化剂。

4.根据权利要求3所述的制备导热薄膜的方法，其中，所述嵌入剂还包括选自高氯酸、过氧化氢、铬酸、硼酸及它们的混合物的第二氧化剂，并且包括重量比1：100至50：100的所述第一氧化剂和所述第二氧化剂。

5.根据权利要求1所述的制备导热薄膜的方法，其中，经热处理的所述合成石墨粉末具有150％至300％的膨胀度，并且

所述膨胀度定义为石墨晶体结构中膨胀后的c轴值相对于膨胀前的c轴值的百分比。

6.根据权利要求1所述的制备导热薄膜的方法，其中，所述嵌入剂包括40％至60％的浓度的选自硫酸、硝酸、氯酸钾、硝酸钾及它们的混合物的第一氧化剂；以及

所述导热薄膜具有50至1000μm的厚度、1.5至2.0g/cm³的密度以及300至700W/m·K的水平方向的热导率。

7.一种导热薄膜，通过权利要求1至6中任一项所述的方法来制备，其中所述导热薄膜具有50至1000μm的厚度、1.5至2.0g/cm³的密度以及300至700W/m·K的水平方向的热导率；并且所述导热薄膜包括轧制的膨胀合成石墨粉末。

8.根据权利要求7所述的导热薄膜，其具有20至50kg/mm²的拉伸强度。

9.一种电子制品，设置有权利要求7所述的导热薄膜，所述电子制品为电子装置、电子装置外壳、照明装置、电池、电池外壳或EMI衬垫。