[发明专利]使用量子阱混合技术的激光架构

权利要求书

1.一种激光器芯片，所述激光器芯片包括：

包括至少一个激光条纹的多个激光条纹，

所述至少一个激光条纹包括：

沿着所述至少一个激光条纹的有源区的一个或多个第一子区域，所述一个或多个第一子区域包括第一跃迁能量，以及

沿着所述有源区的一个或多个第二子区域，所述一个或多个第二子区域包括第二跃迁能量，

其中所述一个或多个第一子区域位于邻近所述至少一个激光条纹的刻面，并且所述一个或多个第一子区域是混合区域；

其中所述第二跃迁能量不同于所述第一跃迁能量，

其中所述一个或多个第一子区域包括外延晶片，并且所述一个或多个第二子区域包括所述外延晶片。

2.根据权利要求1所述的激光器芯片，还包括：

未暴露的激光条纹，所述未暴露的激光条纹包括第三跃迁能量，

其中所述第三跃迁能量与所述外延晶片的跃迁能量相同。

3.根据权利要求1所述的激光器芯片，其中所述一个或多个第二子区域位于邻近所述至少一个激光条纹的增益区域。

4.根据权利要求3所述的激光器芯片，其中所述多个激光条纹包括另一个激光条纹，其中所述另一个激光条纹的所述一个或多个第二子区域的所述第二跃迁能量与所述至少一个激光条纹的所述一个或多个第一子区域的所述第一跃迁能量相同。

5.根据权利要求3所述的激光器芯片，其中所述一个或多个第一子区域的所述第一跃迁能量大于所述一个或多个第二子区域的所述第二跃迁能量。

6.根据权利要求1所述的激光器芯片，还包括：

沿所述多个激光条纹的所述有源区设置的一个或多个电极，

其中对于所述至少一个激光条纹：

所述至少一个激光条纹的所述电极沿着所述至少一个激光条纹的所述有源区具有第一长度，

所述至少一个激光条纹的所述有源区具有第二长度，

其中所述第一长度小于所述第二长度。

7.根据权利要求6所述的激光器芯片，其中所述多个激光条纹包括另一个激光条纹，其中所述另一个激光条纹的所述电极沿着所述另一个激光条纹的所述有源区具有第三长度，所述第三长度不同于所述第一长度和所述第二长度。

8.根据权利要求7所述的激光器芯片，其中所述第三长度长于所述第一长度，并且

其中所述另一个激光条纹的所述第二跃迁能量大于所述至少一个激光条纹的所述第二跃迁能量。

9.根据权利要求1所述的激光器芯片，其中所述至少一个激光条纹的所述一个或多个第一子区域包括所述至少一个激光条纹的所述有源区，并且

其中所述至少一个激光条纹的所述一个或多个第二子区域包括位于所述至少一个激光条纹的所述有源区附近的横向区域。

10.根据权利要求9所述的激光器芯片，其中所述多个激光条纹包括另一个激光条纹，其中所述另一个激光条纹的所述一个或多个第二子区域的所述第二跃迁能量与所述至少一个激光条纹的所述一个或多个第一子区域的所述第一跃迁能量相同。

11.根据权利要求9所述的激光器芯片，其中所述至少一个激光条纹的所述一个或多个第二子区域的所述第二跃迁能量大于所述至少一个激光条纹的所述一个或多个第一子区域的所述第一跃迁能量。

12.根据权利要求1所述的激光器芯片，其中所述至少一个激光条纹的所述一个或多个第一子区域和所述一个或多个第二子区域均位于所述至少一个激光条纹的所述有源区上。

13.根据权利要求12所述的激光器芯片，其中所述一个或多个第一子区域的所述第一跃迁能量大于所述一个或多个第二子区域的所述第二跃迁能量，并且

其中所述一个或多个第一子区域位于比所述一个或多个第二子区域更靠近所述至少一个激光条纹的所述有源区的边缘。