[发明专利]在AEF区域内原位进行束膜稳定或去除的系统和方法

权利要求书

1.一种离子注入系统，其包括：

离子源，所述离子源配置为形成离子束；

角能量滤波器(AEF)，所述角能量滤波器具有与之相关联的AEF区域；以及

气体源，所述气体源配置为将气体供应到所述AEF区域，其中，所述气体源配置为通过膜与气体的反应而钝化和/或蚀刻留存于所述AEF上的膜。

2.根据权利要求1所述的离子注入系统，其中，所述气体源包括配置为选择性将相应的氧化气体和含氟气体供应到所述AEF区域的氧化气体源和含氟气体源中的一个或多个气体源。

3.根据权利要求2所述的离子注入系统，其中，所述含氟气体包括NF₃和XeF₂中的一种或多种气体。

4.根据权利要求2所述的离子注入系统，其中，所述氧化气体包括空气和水汽中的一种或多种气体。

5.根据权利要求1所述的离子注入系统，其中，所述气体源配置为在形成离子束的同时选择性将气体供应到所述AEF区域，且其中，与离子束相关联的热量配置为加热所述AEF以辅助钝化和/或蚀刻留存于所述AEF上的膜。

6.根据权利要求1所述的离子注入系统，进一步包括与所述AEF相关联的歧管分配器，其中，所述AEF包括一个或多个AEF电极，且其中，所述歧管分配器操作性耦接至所述气体源并配置为将气体供应到所述一个或多个AEF电极。

7.根据权利要求6所述的离子注入系统，其中，所述歧管分配器包括管，所述管具有限定于其中的多个孔，其中，所述多个孔配置为将气体分散到所述一个或多个AEF电极。

8.根据权利要求1所述的离子注入系统，进一步包括配置为选择性加热所述AEF的辅助加热器。

9.一种离子注入系统，其包括：

离子源，所述离子源配置为形成离子束；

定位于所述离子源下游的一个或多个组件；以及

气体源，所述气体源配置为将气体供应到与相应一个或多个组件相关联的一个或多个区域，其中，所述气体源配置为通过膜与气体的反应而钝化和/或蚀刻留存于所述一个或多个组件上的膜。

10.根据权利要求9所述的离子注入系统，其中，所述一个或多个组件包括角能量滤波器(AEF)。

11.根据权利要求9所述的离子注入系统，其中，所述气体源包括配置为选择性将相应的氧化气体和含氟气体供应到所述一个或多个区域的氧化气体源和含氟气体源中的一个或多个气体源。

12.根据权利要求11所述的离子注入系统，其中，所述含氟气体包括NF₃和XeF₂中的一种或多种气体。

13.根据权利要求11所述的离子注入系统，其中，所述氧化气体包括空气和水汽中的一种或多种气体。

14.根据权利要求9所述的离子注入系统，其中，所述气体源配置为在形成离子束的同时选择性将气体供应到所述一个或多个区域，且其中，与离子束相关联的热量配置为加热所述一个或多个组件以辅助钝化和/或蚀刻留存于所述一个或多个组件上的膜。

15.根据权利要求1所述的离子注入系统，进一步包括辅助加热器，所述辅助加热器配置为选择性加热所述一个或多个组件并加速膜与气体的反应。

16.一种减轻离子注入系统的一个或多个组件上沉积膜的方法，所述方法包括：

将气体供应到与相应一个或多个组件相关联的一个或多个区域，其中，所述气体配置为通过膜与气体的反应而钝化和/或蚀刻留存于所述一个或多个组件上的膜。