[发明专利]接合时的半导体晶片的加热条件设定方法以及非导电性膜的粘度测量方法以及接合装置

权利要求书

1.一种加热条件设定方法，是使用非导电性膜接合半导体晶片时的半导体晶片的加热条件设定方法，其特征在于，

根据粘度特性图及加热开始温度特性图的任一者或两者，设定加热开始温度与温度上升率，所述粘度特性图表示各种温度上升率中的非导电性膜的相对于温度的粘度的变化，所述加热开始温度特性图表示以同一个温度上升率使加热开始温度变化时的非导电性膜的相对于温度的粘度的变化。

2.根据权利要求1所述的加热条件设定方法，其特征在于，

接合是使形成于半导体晶片的金属凸块熔融而与基板或其它半导体晶片的电极之间形成合金，由此将半导体晶片接合于基板或其它半导体晶片上，并使非导电性膜热硬化来填充半导体晶片与基板或其它半导体晶片之间的间隙者，且

加热开始温度与温度上升率的设定选择在比金属凸块的熔融开始温度低的温度下非导电性膜的粘度变成硬化粘度以上的加热开始温度与温度上升率的组合。

3.根据权利要求1或2所述的加热条件设定方法，其中

粘度特性图是如下者：在将非导电性膜夹入接合平台与接合工具之间并以固定的负荷进行了按压的状态下，一面以各种温度上升率使非导电性膜的温度上升，一面测量接合工具的下降量，根据接合工具的下降量算出非导电性膜的粘度，并作为各种温度上升率中的非导电性膜的相对于温度的粘度的变化特性而输出。

4.根据权利要求1或2所述的加热条件设定方法，其中

加热开始温度特性图是如下者：在将非导电性膜夹入接合平台与接合工具之间并以固定的负荷进行了按压的状态下，一面以同一个温度上升率使非导电性膜的温度自各种加热开始温度上升，一面测量接合工具的下降量，根据接合工具的下降量算出非导电性膜的粘度，并作为以同一个温度上升率使加热开始温度变化时的非导电性膜的相对于温度的粘度的变化特性而输出。

5.根据权利要求1或2所述的加热条件设定方法，其中

根据经设定的加热开始温度与温度上升率，设定对于对半导体晶片进行加热的加热器的温度指令。

6.根据权利要求3所述的加热条件设定方法，其中

根据经设定的加热开始温度与温度上升率，设定对于对半导体晶片进行加热的加热器的温度指令。

7.根据权利要求4所述的加热条件设定方法，其中

根据经设定的加热开始温度与温度上升率，设定对于对半导体晶片进行加热的加热器的温度指令。

8.一种非导电性膜的粘度测量方法，是使用接合装置的非导电性膜的粘度测量方法，

在将非导电性膜夹入接合平台与接合工具之间并以固定的负荷进行了按压的状态下，一面以规定的温度上升率使非导电性膜的温度上升，一面测量接合工具的下降量，且

根据接合工具的下降量算出非导电性膜的粘度。

9.一种接合装置，其特征在于，包括：

接合平台，载置非导电性膜；

接合工具，与所述接合平台一同夹住所述非导电性膜；

接合头，在上下方向上驱动所述接合工具；

加热器，内置于所述接合头；以及

控制部，调整所述接合头的高度与所述加热器的输出，

所述控制部在使所述接合头下降并以固定的负荷对所述非导电性膜进行了按压的状态下，一面通过所述加热器以规定的温度上升率使所述非导电性膜的温度上升，一面测量所述接合工具的下降量，且

根据所述接合工具的下降量算出所述非导电性膜的粘度。