[发明专利]包含控制栅极之间的空隙的存储器装置

说明书

一些实施例包含设备及形成所述设备的方法。所述设备中的一者包含：沟道，其用以传导电流，所述沟道包含第一沟道部分及第二沟道部分；第一存储器单元结构，其位于第一栅极与所述第一沟道部分之间；第二存储器单元结构，其位于第二栅极与所述第二沟道部分之间；及空隙，其位于所述第一栅极与所述第二栅极之间及所述第一存储器单元结构与所述第二存储器单元结构之间。

优先权申请案

本申请案主张2017年8月11日申请的序列号为15/675,130的美国申请案的优先权益，所述美国申请案的全文以引用的方式并入本文中。

背景技术

存储器装置在计算机及许多其它电子物品中广泛地用于存储信息。存储器装置通常具有大量存储器单元。一些常规存储器装置(例如三维(3D)快闪存储器装置)具有按阶层布置的存储器单元，其中所述阶层在半导体衬底上竖直地堆叠。存储容量及性能为此类存储器装置的关键特征。然而，许多常规存储器单元及阶层的结构使得难以进行与装置存储容量及性能相关联的改进。如下文更详细地所描述，本文中所呈现的存储器装置包含使得所述存储器装置具有优于一些常规存储器装置的改进的结构。

附图说明

图1展示根据本文中所描述的一些实施例的呈存储器装置形式的设备的框图。

图2A展示根据本文中所描述的一些实施例的存储器装置的部分的框图。

图2B展示根据本文中所描述的一些实施例的图2A的存储器装置的部分的示意图。

图2C展示根据本文中所描述的一些实施例的图2A及图2B的存储器装置的部分的示意图。

图2D展示根据本文中所描述的一些实施例的图2C的存储器装置的部分的结构的侧视图(横截面图)。

图2E展示根据本文中所描述的一些实施例的沿图2D的线2E-2E截取的图2D的存储器装置的部分。

图3A、图3B、图3C、图3D及图3E展示根据本文中所描述的一些实施例的具有空隙(例如可含有空气(空气填充空隙)或气体(气体填充空隙)的空白空间)及介电存储器元件的不同存储器装置的部分的结构的侧视图。

图4A及图4B展示根据本文中所描述的一些实施例的具有空隙及多晶硅存储器元件的不同存储器装置的部分的结构的侧视图。

图5A及图5B展示根据本文中所描述的一些实施例的可为图4A及图4B的存储器装置的变体的不同存储器装置的部分的结构的侧视图。

图6A至图6O展示根据本发明的一些实施例的在形成存储器装置的工艺期间的元件的横截面图，所述存储器装置可为图3A的存储器装置。

图7A及图7B展示根据本发明的一些实施例的在形成存储器装置的工艺期间的元件的横截面图，所述存储器装置可为图3B的存储器装置。

图8A及图8B展示根据本发明的一些实施例的在形成存储器装置的工艺期间的元件的横截面图，所述存储器装置可为图3C的存储器装置。

图9A及图9B展示根据本发明的一些实施例的在形成存储器装置的工艺期间的元件的横截面图，所述存储器装置可为图3D的存储器装置。

图10A、图10B及图10C展示根据本发明的一些实施例的在形成存储器装置的工艺期间的元件的横截面图，所述存储器装置可为图3E的存储器装置。

图11A至图11P展示根据本发明的一些实施例的在形成存储器装置的工艺期间的元件的横截面图，所述存储器装置可为图4A的存储器装置。

图12A及图12B展示根据本发明的一些实施例的在形成存储器装置的工艺期间的元件的横截面图，所述存储器装置可为图4B的存储器装置。