[发明专利]传感器和运行方法在审
申请号: | 201880061469.2 | 申请日: | 2018-09-21 |
公开(公告)号: | CN111433913A | 公开(公告)日: | 2020-07-17 |
发明(设计)人: | 丹尼尔·迪策 | 申请(专利权)人: | 欧司朗OLED股份有限公司 |
主分类号: | H01L27/14 | 分类号: | H01L27/14;G06F1/26 |
代理公司: | 北京康信知识产权代理有限责任公司 11240 | 代理人: | 李海霞 |
地址: | 德国雷*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 传感器 运行 方法 | ||
在运行方法的一个实施方式中,将传感器(1)的连接导线(61)连接到外部的驱控单元(7)处。待机控制电路(62)一方面确定连接导线(61)是否被驱控单元(7)外部响应,另一方面确定连接导线(61)是否被激活状态导线(OUT)响应。当连接导线(61)没有被激活状态导线(OUT)响应但是被驱控单元(7)外部响应或被指示进入待机模式(STANDBY)时,待机控制电路(62)恰好此时使传感器(1)设置于待机模式(STANDBY)或者输出相应的控制信号。
技术领域
本发明涉及一种传感器。此外,涉及一种用于这种传感器的运行方法。
发明内容
本发明待实现的目的是,提出一种具有低能量消耗的传感器。
该目的还通过具有独立权利要求特征的传感器和运行方法来实现。优选的改进方案是从属权利要求的主题。
根据至少一个实施方式,传感器包括一个或多个传感器芯片。至少一个传感器芯片被设计用于探测辐射。传感器芯片可以是多通道传感器芯片或者单通道传感器芯片,也称为光电二极管。优选地,传感器芯片是单通道光电二极管,尤其是PIN光电二极管。传感器芯片能够基于硅,但是可替代地,也基于其它的半导体材料体系,如Ge、InGaAs或者InGaP。
根据至少一个实施方式,传感器包括电子单元。电子单元例如集成在传感器的载体中。这种载体可以是印刷电路板和/或例如基于硅的电路基板,例如集成电路,简称IC,或者可以是微控制器。可替代地,电子单元可以是安装在传感器芯片处和/或载体处的单独部件。
根据至少一个实施方式,电子单元包含数字的、双向的连接导线。这意味着,连接导线被设计成用于数字信号,并且设计成不仅用于沿远离传感器方向的数字信号而且也用于沿朝向传感器方向的数字信号。该连接导线优选是电子单元和传感器的唯一的双向连接导线。该连接导线可以是传感器的主要的和/或唯一的数据输出部。
根据至少一个实施方式,电子单元包括待机控制电路。通过待机控制电路能够将传感器切换到激活运行,在激活运行中,信号被传感器芯片接收并且被传感器输出。此外,传感器能够通过待机控制电路切换到待机模式,也称为Standby。在待机模式中,传感器不提供信号。在待机模式中,传感器的平均能量消耗,特别是平均电流消耗相对于激活运行降低,例如降低至少10倍或100倍。
根据至少一个实施方式,电子单元包括激活状态导线。激活状态导线被设计用于显示传感器是否主动地发送数据。可行的是,激活状态导线的信号被输出在连接导线处,激活状态导线优选是在电子单元内部延伸的导线或接触部位。这意味着,能够暂时将相同的信号施加在连接导线处和激活状态导线处。
根据至少一个实施方式,连接导线被设计用于连接到外部的驱控单元处。外部的驱控单元优选是现场可编程逻辑门阵列,也称为Field Programmable Gate Array或简称FPGA,或者是微控制器,又或者是计算机。可行的是,通过驱控单元从传感器读取信号。通过驱控单元确定,传感器是否以待机模式运行或者以激活模式运行。这意味着,驱控单元确定,是否应该由传感器采集测量数据。
根据至少一个实施方式,待机控制电路被设计用于确定,当连接导线没有被激活状态导线内部响应时,连接导线是否被驱控单元外部响应。当连接导线被驱控单元响应而激活状态导线没有被连接导线响应时,待机控制电路恰好此时使传感器置于待机模式,即Standby模式。
此外,提出一种用于这种传感器的运行方法。借助该运行方法运行一个或多个传感器,如结合一个或多个上述实施方式给出的传感器。因此,传感器的特征也适用于运行方法并且反之亦然。
在运行方法的至少一个实施方式中,连接导线连接到外部的驱控单元处,驱控单元不是传感器的组成部分。待机控制电路一方面确定,连接导线是否被驱控单元外部响应,另一方面确定,连接导线是否被激活状态导线响应。当连接导线没有被激活状态导线响应但是被驱控单元外部响应或者被指示进入待机模式时,待机控制电路恰好此时使传感器置于待机模式或者输出相应的控制信号。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
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H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的