[发明专利]原位干洗方法和装置

权利要求书

1.一种用于去除形成在硅基板上的氧化硅或氮化硅的干洗装置，所述干洗装置包括：

卡盘，所述卡盘被固定在腔室内，在所述卡盘上布置有作为处理对象的所述硅基板；

卡盘加热单元，所述卡盘加热单元用于加热所述卡盘；

射频电极，所述射频电极施加有用于生成等离子体的射频电源，并且具有第一气体供应通路；

喷头，所述喷头在连接到所述射频电源的接地端的状态下与所述射频电极间隔开，等离子体生成区域介于所述喷头与所述射频电极之间，并且所述喷头具有第二气体供应通路和与所述第二气体供应通路物理上分离的第三气体供应通路；以及

气体加热单元，所述气体加热单元设置在所述腔室外且用于加热供应到所述喷头的气体，

其中，对应于由所述卡盘加热单元加热的所述卡盘的加热温度而对所述硅基板进行加热；

在由所述射频电源对已通过所述第一气体供应通路的至少包含NF₃的第一反应气体进行等离子体处理的情况下，将所述第一反应气体经由所述第二气体供应通路供应到所述硅基板，并且在未对在所述腔室外由所述气体加热单元加热的至少包含NH₃的第二反应气体进行等离子体处理的情况下，将所述第二反应气体经由所述第三气体通路供应到所述硅基板，从而将所述氧化硅或所述氮化硅中的至少一部分转化为六氟硅酸铵((NH₄)₂SiF₆)；并且

将在所述腔室外由所述气体加热单元加热的传热气体通过所述第三气体供应通路喷射到所述硅基板上，从而去除所述六氟硅酸铵；

其中，所述将所述氧化硅或所述氮化硅中的至少一部分转化为六氟硅酸铵的过程和所述去除所述六氟硅酸铵的过程在单一腔室中以原位法连续实施，同时所述卡盘被固定在所述单一腔室内。

2.根据权利要求1所述的干洗装置，其特征在于，所述传热气体至少包含H₂O。

3.根据权利要求1所述的干洗装置，其特征在于，所述传热气体的加热温度为200至1000℃。

4.根据权利要求1所述的干洗装置，其特征在于，所述第二反应气体的加热温度为100至1000℃。

5.根据权利要求1所述的干洗装置，其特征在于，独立于通过所述喷头的所述第三气体供应通路供应的经加热的传热气体的供应通路，通过所述第一气体供应通路和所述第二气体供应通路供应包含N₂或Ar的气体。

6.根据权利要求1所述的干洗装置，其特征在于，将所述卡盘的温度控制为常温到100℃的范围。