[发明专利]放射治疗系统

权利要求书

1.一个放射治疗系统，包括：

磁共振成像装置，被配置用于获取感兴趣区域的磁共振成像数据，所述磁共振成像装置包括：

至少两个主磁线圈；

至少两个磁屏蔽线圈；以及

环形低温恒温器，其中所述至少两个主磁线圈和所述至少两个磁屏蔽线圈沿所述环形低温恒温器的轴同轴排列，所述至少两个磁屏蔽线圈被安排在比所述至少两个主磁线圈距所述轴更大的半径处，所述环形低温恒温器包括与所述轴同轴的至少一个外壁和至少一个内壁，所述环形低温恒温器还包括介于所述至少一个外壁和所述至少一个内壁之间的环形凹槽，所述环形凹槽具有在所述至少一个外壁上形成的开口；以及

放射治疗装置，被配置用于放射治疗所述感兴趣区域的至少一部分，所述放射治疗装置包括：

直线加速器，被配置用于加速电子光束中的电子以产生放射治疗的光子束，所述直线加速器至少部分位于所述环形低温恒温器的所述环形凹槽内；

一个或以上个准直组件，被配置用于对放射治疗的所述光子束进行适形；

第一屏蔽结构，被配置用于为所述直线加速器和所述一个或以上准直组件中的至少一个提供磁屏蔽；所述直线加速器至少部分地被所述第一屏蔽结构包围，所述第一屏蔽结构围绕所述直线加速器的轴形成半闭环，所述半闭环包括沿着所述直线加速器的圆周方向布置的至少两个板；以及与所述第一屏蔽结构相同的至少一个第二屏蔽结构，所述第一屏蔽结构和所述至少一个第二屏蔽结构分别位于所述环形凹槽内的圆周位置。

2.根据权利要求1所述的放射治疗系统，其特征在于，所述至少一个第二屏蔽结构位于所述第一屏蔽结构相对于所述轴的相对圆周位置处。

3.根据权利要求1所述的放射治疗系统，其特征在于，所述第一屏蔽结构为所述直线加速器提供无源磁屏蔽。

4.根据权利要求1所述的放射治疗系统，其特征在于，所述至少一个第二屏蔽结构包括多于两个第二屏蔽结构，并且所述第一屏蔽结构和所述至少一个第二屏蔽结构均匀分布在所述环形凹槽内。

5.根据权利要求1所述的放射治疗系统，其特征在于，所述环形低温恒温器包括至少两个腔室和颈部，所述至少两个腔室通过所述颈部连接并且彼此流体连通，所述环形凹槽至少由所述至少两个腔室和所述颈部所限定。

6.根据权利要求5所述的放射治疗系统，其特征在于，所述环形凹槽位于所述至少两个腔室之间，并且所述颈部的最外表面形成所述环形凹槽的最内层边界。

7.根据权利要求1所述的放射治疗系统，其特征在于，电子光束沿着与所述环形低温恒温器的所述轴平行的电子光束路径移动，并且所述放射治疗装置还包括：

靶；以及

光束偏转单元，被配置用于将所述电子从所述电子光束偏转到所述靶上，以产生所述放射治疗的光子束。

8.根据权利要求1的放射治疗系统，其特征在于，

所述环形低温恒温器包括：

环形凹面结构，具有在所述至少一个内壁处形成的开口；以及

所述放射治疗装置还包括：

多叶准直器，所述多叶准直器容纳在所述环形低温恒温器的所述环形凹面结构，并且被配置用于控制通过它的所述放射治疗的光子束的形状。

9.根据权利要求8所述的放射治疗系统，其特征在于，所述至少两个主磁线圈的一个或以上被布置为包围所述环形凹面结构，并且所述一个或以上的所述主磁线圈距所述轴的半径大于其余的所述主磁线圈距所述轴的半径。

10.根据权利要求8所述的放射治疗系统，其特征在于，所述多叶准直器通过两个或以上杆连接到所述直线加速器。

11.根据权利要求8所述的放射治疗系统，其特征在于，所述多叶准直器被配置用于沿着滑动结构在所述环形凹面结构内移动。