[发明专利]激光解吸电离法和质量分析方法有效

专利信息
申请号: 201880060451.0 申请日: 2018-08-03
公开(公告)号: CN111094965B 公开(公告)日: 2022-08-30
发明(设计)人: 内藤康秀;大村孝幸;小谷政弘 申请(专利权)人: 浜松光子学株式会社
主分类号: G01N27/64 分类号: G01N27/64;H01J49/04;H01J49/10;H01J49/16
代理公司: 北京尚诚知识产权代理有限公司 11322 代理人: 杨琦
地址: 日本*** 国省代码: 暂无信息
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摘要:
搜索关键词: 激光 解吸 电离 质量 分析 方法
【说明书】:

激光解吸电离法包括准备试样支撑体(1)的第1工序。试样支撑体(1)包括:基板(2);电离基板(3);以及支撑部(5),其以电离基板(3)的第1表面(3a)与基板(2)彼此隔开的方式相对于基板(2)支撑电离基板(3)。在电离基板(3)的至少测量区域(R)形成有多个贯通孔(3c)。至少在第2表面(3b)上的贯通孔(3c)的周缘部设置有导电层(4)。此外,激光解吸电离法包括:对电离基板(3)的测量区域(R)滴落试样(S)的第2工序;和第3工序,其在试样(S)浸透于电离基板(3)后,对导电层(4)施加电压且对第2表面(3b)照射激光(L),由此将试样(S)的成分电离。

技术领域

本发明涉及激光解吸电离法和质量分析方法。

背景技术

一直以来,已知有一种对试样照射激光而将试样中的化合物电离,通过检测电离了的试样来进行质量分析的方法。在专利文献1中记载了如下方法:将设置有多个贯通孔(mm级)的固定板配置在保持板上,通过该贯通孔将试样滴落到保持板上,对该试样照射激光,由此进行试样的电离。在专利文献2中记载了如下方法:在设置有多个非贯通孔(μm级)的基板滴落加入了基质(matrix)的试样,对浸透于该非贯通孔的内部的试样照射激光,由此进行试样的电离。

现有技术文献

专利文献

专利文献1:日本特开2014-21048号公报

专利文献2:美国专利第7695978号公报

发明内容

发明所要解决的问题

在上述方法中,在相对于凹部的试样的滴落量过多时,试样从该凹部溢出,失去所谓凹凸效果(通过凹凸结构而激光的能量容易传递到试样的效果),存在试样的电离效率降低的可能性。即,存在不能够适当地将试样中的成分电离,或者检测的离子的量降低的可能性。其结果,存在在上述的质量分析中不能得到足够的信号强度,无法适当地检测试样中的成分的可能性。

因此,本发明的目的在于,提供能够抑制因试样的滴落量导致的电离效率的降低的激光解吸电离法和质量分析方法。

解决问题的技术手段

本发明的一方面所涉及的激光解吸电离法,包括准备试样支撑体的第1工序。试样支撑体包括:基板;配置在基板上的电离基板;以及支撑部,其以电离基板的和基板相对的第1表面与基板彼此隔开的方式相对于基板支撑电离基板。电离基板在第1表面的相反侧的第2表面上具有用于滴落试样的测量区域。在电离基板的至少测量区域形成有在第1表面和第2表面开口的多个贯通孔。至少在第2表面上的贯通孔的周缘部设置有导电层。此外,上述激光解吸电离法包括:对电离基板的测量区域滴落试样的第2工序;和第3工序,其在试样浸透于电离基板后,对导电层施加电压且对第2表面照射激光,由此将试样的成分电离。

在该激光解吸电离法的第1工序中准备的试样支撑体中,通过支撑部在电离基板的第1表面与基板之间形成间隙。由此,在第2工序中,即使相对于电离基板的第2表面的试样的滴落量比适量多,也能够使试样的过剩量经由设置于电离基板的贯通孔释放到电离基板的第1表面与基板之间的间隙。因此,能够抑制试样的过剩量在第2表面上溢出。其结果,在第3工序中,能够抑制在通过对第2表面照射激光而使试样的成分电离时电离效率的降低。通过以上所述,根据该激光解吸电离法,能够抑制因试样的滴落量导致的电离效率的降低。

本发明的另一方面所涉及的激光解吸电离法,包括准备试样支撑体的第1工序。试样支撑体包括:基板;具有导电性且配置在基板上的电离基板;以及支撑部,其以电离基板的和基板相对的第1表面与基板彼此隔开的方式相对于基板支撑电离基板。电离基板在第1表面的相反侧的第2表面上具有用于滴落试样的测量区域。在电离基板的至少测量区域形成有在第1表面和第2表面开口的多个贯通孔。此外,上述激光解吸电离法包括:对电离基板的测量区域滴落试样的第2工序;和第3工序,其在试样浸透于电离基板后,对电离基板施加电压且对第2表面照射激光,由此将试样的成分电离。

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