[发明专利]用于静态随机存取存储器编译器的鲁棒写入驱动器机制

说明书

提供了用于将数据写入到静态随机存取存储器(SRAM)中的系统、方法和装置。写入驱动器电路包括位单元阵列、耦合到该位单元阵列的位线、以及第一驱动电路，该第一驱动电路被配置为经由写入驱动器节点驱动位线，用于将数据写入到位单元中，以进行写入操作。写入驱动器电路还包括预充电电路，该预充电电路被配置为控制写入驱动器电路或与写入驱动器电路一起操作，以将写入驱动器节点驱动至用于写入操作的高电压电平或低电压电平，并将写入驱动器节点预充电至高电压电平，并使写入驱动器节点浮置，以进行位掩蔽操作。

技术领域

本公开一般涉及操作存储器的装置，并且更具体地涉及促进静态随机存取存储器(SRAM)的鲁棒行为。

背景技术

基于处理器的计算机系统包括用于数据存储的存储器。存在不同类型的存储器，每种类型都具有某些独特的特征。例如，静态随机存取存储器(SRAM)是可以在基于处理器的计算机系统中采用的一种存储器。SRAM可以存储数据而无需定期刷新存储器，这不同于例如动态读取存取存储器(DRAM)。SRAM包含以行和列组织在SRAM数据阵列中的多个SRAM位单元(也被称为“位单元”)。对于SRAM数据阵列中的任何给定行，SRAM数据阵列的每一列都将包含一个SRAM位单元，在其中存储单个数据项或位。通过用于读取操作和写入操作的对应字线来控制对所期望的SRAM位单元行的访问。为了从SRAM位单元读取数据，使字线生效以选择与存储器访问请求的存储器地址相对应的SRAM位单元的期望行。对于读取操作(也被称为“存储器读取访问”)，将从所选择的SRAM位单元读取的数据放置在本地位线上，以提供给SRAM数据输出。对于写入操作，将要写入SRAM位单元的数据放置在SRAM位单元的本地位线上。互补(或反向)本地位线也可以被采用来改善SRAM位单元中的噪声容限。此外，SRAM数据阵列可以具有多个数据子阵列或存储体，每个子阵列或存储体包含它们自己的访问电路以及专用的本地字线和位线，以允许在多个数据子阵列中同时进行访问。

随着基于处理器的计算机系统不断发展，当在SRAM位单元上执行位掩蔽时，需要通过防止位于SRAM位单元中的数据的损坏来提高系统鲁棒性。

发明内容

本公开的某些方面涉及用于将数据写入到静态随机存取存储器(SRAM)中的系统、装置、方法和技术。

在本公开的各个方面中，一种装置包括SRAM。该装置还可以包括并入有SRAM的蜂窝电话和移动计算设备之一。SRAM包括：位单元阵列；位线，被耦合到位单元阵列；第一驱动电路，被配置为经由第一写入驱动器节点驱动位线，用于将数据写入到位单元阵列的位单元中，以进行写入操作；以及第一预充电电路，被配置为与第一驱动电路一起操作，将第一写入驱动器节点驱动至高电压电平或低电压电平，以进行写入操作，将第一写入驱动器节点预充电至高电压电平，并使第一写入驱动器节点浮置，以进行位掩蔽操作，其中在第一写入驱动器节点浮置在高电压电平的情况下，在写入周期开始时，在位线上维持用于将数据写入到位单元中的阈值电压电平。

在一方面，第一预充电电路被耦合到位时钟输入和掩蔽信号线输入，其中掩蔽信号线输入可以控制第一预充电电路与第一驱动电路一起操作，以在位掩蔽操作被禁用的情况下，将写入驱动器节点驱动至高电压电平或低电压电平。位时钟输入可以控制第一预充电电路与第一驱动电路一起操作，以将第一写入驱动器节点预充电至高电压电平，并使第一写入驱动器节点浮置，以进行位掩蔽操作。

在另一方面，第一驱动电路被耦合到第一数据输入，并且第一驱动电路被控制为：进一步基于在第一数据输入处的电压值，将第一写入驱动器节点驱动至高电压电平或低电压电平。