[发明专利]柔性存储器辅助方案

说明书

在本公开的一方面中，提供了一种方法、计算机可读介质、以及装置。该装置可以在辅助电路处于第一状态的同时，将设备操作电压从第一电压改变为第二电压，该装置还可以将设备操作电压维持在第二电压达预先确定的时间。该装置可以将辅助电路从第一状态切换到第二状态。该装置可以在预先确定的时间之后将设备操作电压调整到第三电压，其中第二电压是第一电压和第三电压之间的电压电平。通过将设备操作电压从第一电压转变为第三电压，同时防止辅助电路进入特定读取辅助状态，该装置可以降低读取失败的可能性。

优先权要求

本专利申请要求于2017年9月19日提交的题为“柔性存储器辅助方案”的美国非临时申请号15/708,393的优先权，其转让给本申请的受让人并且在此明确通过引用并入本文。

技术领域

本公开大体上涉及集成电路，更具体地涉及柔性存储器辅助方案以及包含该柔性存储器辅助方案的装置。

背景技术

集成电路(或“芯片”)已经通过使得由数百万个晶体管、二极管、电阻器和电容器组成的复杂电路能够集成到半导体材料的芯片中而使电子工业发生革命性变化。集成还提供了其他益处，诸如批量制造。在单个半导体晶片上同时制造数百甚至数千个集成电路降低了成本，并且提高了最终产品的可靠性。

尽管集成电路具有制造上的益处，但是制造过程期间的过程变化可能会影响芯片的电参数，从而导致性能变化。从统计上讲，在半导体晶片上制造的大多数芯片将具有满足标称设计规格的电参数。然而，若干个芯片会偏离正常情况，其可能会导致芯片收得率降低。

存储器是在集成电路内实现的公共电路。静态随机存取存储器(SRAM)只是存储器的一个示例。SRAM是需要电源才能保留数据的存储器。与动态随机存取存储器(DRAM)不同，SRAM不需要定期刷新。与DRAM相比，SRAM还提供了更快的数据存取，从而使得SRAM对于许多集成电路应用而言是具有吸引力的选择。由于制造偏差，所以可能需要用于SRAM的存储器单元或位单元的读取辅助电路，以减少电源电压电平的较宽变化范围内的读取误差。

以往已经使用了不同的读取辅助技术。当设备操作电压在标称电压范围内操作时，这种技术允许读取存储器单元或位单元。然而，当读取辅助技术在特定设备操作电压下操作时，这种技术通常不能解决与读取误差有关的问题(例如，位在读取操作期间翻转状态或感测放大器未正确感测到位单元)。因而，需要新的技术和方法，该新的技术和方法提供用于存储器的读取辅助技术，以减少当处于特定设备操作电压时的读取误差。

发明内容

以下给出一个或多个方面的简化概述，以便提供对这些方面的基本理解。该发明内容不是所有预期方面的详尽综述，并且既不旨在标识所有方面的关键元件或重要元件，也不旨在描绘任何或所有方面的范围。其唯一目的是以简化形式给出一个或多个方面的一些概念作为稍后给出的具体实施方式的序言。

在本公开的一方面中，提供了一种方法、计算机可读介质、以及装置。该装置可以在辅助电路处于第一状态的同时将设备操作电压从第一电压改变为第二电压。该装置还可以将设备操作电压维持在第二电压达预先确定的时间。该装置可以将辅助电路从第一状态切换到第二状态。该装置可以在预先确定的时间之后将设备操作电压调整到第三电压，其中第二电压是第一电压和第三电压之间的电压电平。通过将设备操作电压从第一电压转变为第三电压，同时防止辅助电路进入特定读取辅助状态，装置可以降低当装置处于低功率模式或高功率模式时发生读取失败的可能性。进一步地，这样做时，装置的存储器可以在更大的电压范围内运转，其中读取失败的可能性得以降低。

为了实现前述和相关目的，一个或多个方面包括下文中充分描述并且在权利要求中特别指出的特征。以下描述和附图详细阐述了一个或多个方面的某些说明性特征。然而，这些特征仅指示可以采用各个方面的原理的各种方式中的几种方式，并且该描述旨在包括所有这些方面及其等同物。

附图说明