[发明专利]用于光谱分析装置的宽带半导体紫外光源

权利要求书

1.一种用于光谱分析装置的半导体紫外光源，该半导体紫外光源具有壳体(1)，在该壳体中容纳有用于发出紫外光的至少一个基于半导体的发射体(3)，在该壳体中在发射体(3)与用于工作射束(9)的射束出射部位(8；28；48)之间形成有光路，其特征在于，发射体(3)用于发出平均波长在150nm至270nm的范围内的激发光(6；36；46；56)；在所述光路中设有荧光材料(5；25；35；45；55)，该荧光材料部分地吸收所述激发光(6；36；46；56)并且此时发射出荧光辐射，以使得激发光(6；36；46；56)和荧光辐射叠加成工作射束(9)，在200nm至400nm的波长范围内该工作射束具有至少50nm的光谱带宽。

2.根据权利要求1所述的半导体紫外光源，其特征在于，所述工作射束(9)的光谱至少包括从260nm至310nm的波长范围。

3.根据上述权利要求中任一项所述的半导体紫外光源，其特征在于，所述激发光(6；36；46；56)对所述工作辐射(9)的光谱带宽所做的光谱贡献小于50％。

4.根据上述权利要求中任一项所述的半导体紫外光源，其特征在于，在所述光路中荧光材料的量和分布被设定成，使得所述激发光(6；36；46；56)在所述工作射束(9)的辐射通量中所占的份额小于50％，优选在5％至35％的范围中。

5.根据上述权利要求中任一项所述的半导体紫外光源，其特征在于，在发射体(3)与所述射束出射部位(8；28；48)之间设有用于引导所述激发光和/或所述工作射束的一个或多个器件(7；27；37；47)。

6.根据上述权利要求中任一项所述的半导体紫外光源，其特征在于，所述荧光材料以含有荧光材料的层(5；25；35；45；55)的形式施加在所述光路中。

7.根据权利要求6所述的半导体紫外光源，其特征在于，所述激发光(6；36；46；56)部分地透射所述含有荧光材料的层(5；25；35；45；55)。

8.根据权利要求6或7所述的半导体紫外光源，其特征在于，所述含有荧光材料的层(5；25；35；45；55)的层厚度在5μm至100μm的范围中，优选在5μm和30μm之间。

9.根据权利要求6至8中任一项所述的半导体紫外光源，其特征在于，所述基于半导体的发射体具有用于所述激发光(6；36；46；56)的出射面，所述含有荧光材料的层(5；25；35；45；55)具有用于所述激发光的入射面，所述出射面与所述入射面之间的最短距离小于5mm。

10.根据权利要求6至9中任一项所述的半导体紫外光源，其特征在于，发射体覆有所述含有荧光材料的层和/或部分地被所述含有荧光材料的层包围。

11.根据权利要求6至10中任一项所述的半导体紫外光源，其特征在于，发射体(3)具有发射体壳体(4)，该发射体壳体具有用于所述激发光(6)的出射窗，该出射窗覆有所述含有荧光材料的层(5)。

12.根据权利要求6至11中任一项所述的半导体紫外光源，其特征在于，所述射束出射部位(8；28；48)被设计为所述壳体(1)的光出射开口(8)，并且被由透紫外光的材料组成的窗部件遮盖，该窗部件覆有所述含有荧光材料的层。

13.根据权利要求6至12中任一项所述的半导体紫外光源，其特征在于，所述含有荧光材料的层(55)施加在载体(57)上，该载体布置在发射体(3)与所述射束出射部位(8；28；48)之间，所述载体能让所述激发光和所述工作射束透过，优选具有至少70％mm^-1的内部透射率。