[发明专利]利用切割技术移除衬底的方法

权利要求书

1.一种移除衬底的方法，包括：

在衬底上或上方形成生长限制掩模；

使用所述生长限制掩模在所述衬底上或上方生长一或多个III族氮化物基半导体层；

将所述III族氮化物基半导体层接触到支撑衬底或膜；以及

使用切割技术从所述衬底移除所述III族氮化物基半导体层。

2.根据权利要求1所述的方法，还包括由于所述III族氮化物基衬底与接触到所述III族氮化物基半导体层的所述支撑衬底或膜之间的热膨胀差异，向所述III族氮化物基半导体层施加应力。

3.根据权利要求1所述的方法，其中所述衬底是III族氮化物基衬底或者异质或异种衬底。

4.根据权利要求1所述的方法，其中所述衬底在移除所述III族氮化物基半导体层之后被回收。

5.根据权利要求1所述的方法，其中所述切割技术是用于所述衬底的m平面表面上的。

6.根据权利要求1所述的方法，其中所述III族氮化物基半导体层在从所述衬底移除之后具有切割的表面。

7.根据权利要求6所述的方法，其中所述切割的表面至少包括m平面表面。

8.根据权利要求1所述的方法，其中所述生长限制掩模在从所述衬底移除所述III族氮化物基半导体层之前至少局部地被移除。

9.根据权利要求1所述的方法，其中所述生长限制掩模被图案化。

10.根据权利要求9所述的方法，其中所述生长限制掩模由多个开口区域构成。

11.根据权利要求1所述的方法，其中所述III族氮化物基半导体层中的至少一个通过外延横向过生长(ELO)来生长。

12.根据权利要求11所述的方法，其中所述ELO在所述III族氮化物基半导体层聚结之前停止。

13.根据权利要求1所述的方法，还包括从所述衬底剥除所述III族氮化物基半导体层。

14.一种通过权利要求1所述的方法制作的器件。

15.一种移除衬底的方法，包括：

在衬底上或上方生长一或多个III族氮化物基半导体层；

将所述III族氮化物基半导体层接触到支撑衬底或膜；以及

使用切割技术从所述衬底移除所述III族氮化物基半导体层，其中所述切割技术执行达切割长度，且所述切割长度比由所述III族氮化物基半导体层形成的器件的大小窄。

16.根据权利要求15所述的方法，其中所述衬底的上面执行所述切割技术的表面是所述衬底的m平面表面。

17.根据权利要求15所述的方法，其中所述III族氮化物基半导体层至少局部地由m平面层构成。

18.一种通过权利要求15所述的方法制作的器件。

19.一种移除衬底的方法，包括：

在所述衬底上或上方生长一或多个III族氮化物基半导体层，其中所述III族氮化物基半导体层包含牺牲层；

对所述III族氮化物基半导体层进行蚀刻，直到暴露出所述牺牲层为止；

选择性地对所述牺牲层进行蚀刻以形成底切凹口；

将所述III族氮化物基半导体层接触到支撑衬底或膜；以及

使用切割技术从所述衬底移除所述III族氮化物基半导体层。