[发明专利]半导体设备在审
| 申请号： | 201880060133.4 | 申请日： | 2018-09-11 |
| 公开（公告）号： | CN111095542A | 公开（公告）日： | 2020-05-01 |
| 发明（设计）人： | 关晃辅;加藤祐作;柳川周作 | 申请（专利权）人： | 索尼半导体解决方案公司 |
| 主分类号： | H01L23/473 | 分类号： | H01L23/473;H01L23/36;H05K7/20 |
| 代理公司： | 北京康信知识产权代理有限责任公司 11240 | 代理人： | 吴孟秋 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 半导体设备 | ||
1.一种半导体设备，包括：
附接布线层的玻璃基板；
玻璃基板，粘附于所述附接布线层的玻璃基板；以及
散热部，形成在所述玻璃基板与所述附接布线层的玻璃基板之间。
2.根据权利要求1所述的半导体设备，其中，所述散热部形成在安装在所述附接布线层的玻璃基板上的芯片下面。
3.根据权利要求2所述的半导体设备，其中，第一腔体形成为所述玻璃基板中的散热部。
4.根据权利要求3所述的半导体设备，其中，冷却剂被密封在所述第一腔体中。
5.根据权利要求4所述的半导体设备，其中，所述冷却剂包括水、乙醇、或者含氯氟烃的替代物。
6.根据权利要求3所述的半导体设备，其中，面向所述第一腔体的第二腔体形成为所述附接布线层的玻璃基板中的散热部。
7.根据权利要求6所述的半导体设备，其中，在所述第二腔体内设置有凹槽。
8.根据权利要求7所述的半导体设备，其中，所述凹槽具有狭长结构。
9.根据权利要求7所述的半导体设备，其中，所述凹槽具有栅格结构。
10.根据权利要求2所述的半导体设备，其中，所述玻璃基板与所述附接布线层的玻璃基板通过在所述玻璃基板上形成并接合无机膜而彼此粘附在一起。
11.根据权利要求10所述的半导体设备，其中，所述无机膜包括硅薄膜或者铝薄膜。
12.根据权利要求2所述的半导体设备，其中，所述玻璃基板与所述附接布线层的玻璃基板通过在所述玻璃基板上涂布、接合树脂而彼此粘附在一起。
13.根据权利要求12所述的半导体设备，其中，所述树脂包括热固性树脂或者紫外线固化树脂。
14.根据权利要求3所述的半导体设备，其中，在所述第一腔体中设置多孔层。
15.根据权利要求14所述的半导体设备，其中，所述多孔层包括耐热树脂。
16.根据权利要求15所述的半导体设备，其中，所述耐热树脂包括聚酰亚胺、聚酰胺或者聚碳酸酯。
17.根据权利要求14所述的半导体设备，其中，所述多孔层包括金属。
18.根据权利要求17所述的半导体设备，其中，所述金属包括铜。
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