[发明专利]静电卡盘装置有效
申请号: | 201880060099.0 | 申请日: | 2018-09-26 |
公开(公告)号: | CN111108589B | 公开(公告)日: | 2023-10-20 |
发明(设计)人: | 小坂井守;尾崎雅树;前田佳祐 | 申请(专利权)人: | 住友大阪水泥股份有限公司 |
主分类号: | H01L21/683 | 分类号: | H01L21/683;H01L21/3065 |
代理公司: | 上海立群专利代理事务所(普通合伙) 31291 | 代理人: | 陈亦欧;毛立群 |
地址: | 日本国*** | 国省代码: | 暂无信息 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索关键词: | 静电 卡盘 装置 | ||
1.一种静电卡盘装置,其具备:
静电卡盘部,具有载置试样的试样载置面且具有静电吸附用第1电极;
冷却基部,相对于所述静电卡盘部载置于与所述试样载置面相反的一侧且冷却所述静电卡盘部;及
粘接层,将所述静电卡盘部和所述冷却基部粘接在一起,
所述静电卡盘部在所述粘接层侧具有凹凸,
所述第1电极的表面电阻值高于1.0Ω/□且低于1.0×1010Ω/□。
2.一种静电卡盘装置,其具备:
静电卡盘部,具有载置试样的试样载置面且具有静电吸附用第1电极;
冷却基部,相对于所述静电卡盘部载置于与所述试样载置面相反的一侧且冷却所述静电卡盘部;
粘接层,将所述静电卡盘部和所述冷却基部粘接在一起;及
电介质层,设置于所述静电卡盘部与所述冷却基部之间,
所述第1电极的表面电阻值高于1.0Ω/□且低于1.0×1010Ω/□。
3.根据权利要求2所述的静电卡盘装置,其中,
所述电介质层中的电介质的介电常数小于所述静电卡盘部的介电常数。
4.一种静电卡盘装置,其具备:
静电卡盘部,具有载置试样的试样载置面且具有静电吸附用第1电极;
冷却基部,相对于所述静电卡盘部载置于与所述试样载置面相反的一侧且冷却所述静电卡盘部;及
粘接层,将所述静电卡盘部和所述冷却基部粘接在一起,
在所述第1电极与所述冷却基部之间具有第2电极,所述第1电极的表面电阻值高于1.0Ω/□且低于1.0×1010Ω/□。
5.根据权利要求4所述的静电卡盘装置,其中,
所述第2电极经由包括电容器和线圈的匹配盒与高频电源连接或经由可变导体接地。
6.根据权利要求4或5所述的静电卡盘装置,其中,
所述第2电极的表面电阻值低于所述第1电极的表面电阻值。
7.根据权利要求4至6中任一项所述的静电卡盘装置,其中,
所述第2电极设置于所述静电卡盘部的内部或所述静电卡盘部与所述冷却基部之间。
8.根据权利要求1至7中任一项所述的静电卡盘装置,其中,
所述冷却基部经由包括电容器和线圈的匹配盒与高频电源连接。
9.根据权利要求5所述的静电卡盘装置,其中,
所述冷却基部经由包括电容器和线圈的匹配盒与高频电源连接,
调整所述冷却基部所连接的所述高频电源的第1电压的大小及所述第1电压的相位和所述第2电极所连接的所述高频电源的第2电压的大小及所述第2电压的相位。
10.根据权利要求1至9中任一项所述的静电卡盘装置,其中,
所述第1电极经由高频截止滤波器与直流电源连接。
11.根据权利要求1至10中任一项所述的静电卡盘装置,其中,
所述静电卡盘部在所述试样载置面的周围的比所述试样载置面更凹陷的凹部具有设置包围所述试样载置面的周围的圆环状的结构物的结构物设置面。
12.根据权利要求11所述的静电卡盘装置,其在所述结构物设置面与所述冷却基部之间具有静电吸附用第3电极。
13.根据权利要求12所述的静电卡盘装置,其中,
所述第3电极的表面电阻值高于1.0Ω/□且低于1.0×1010Ω/□。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于住友大阪水泥股份有限公司,未经住友大阪水泥股份有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201880060099.0/1.html,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:具有高颜料含量的分散脂肪相的分散体
- 下一篇:流体控制阀
- 同类专利
- 专利分类
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造