[发明专利]保护膜形成用复合片及半导体芯片的制造方法

权利要求书

1.一种保护膜形成用复合片，其含有支撑片与设置在所述支撑片上的能量射线固化性的保护膜形成用膜，所述保护膜形成用复合片中，

所述保护膜形成用膜含有能量射线固化性成分(a0)及非能量射线固化性聚合物(b)，

所述非能量射线固化性聚合物(b)为丙烯酸类聚合物，

所述支撑片中的与所述保护膜形成用膜接触的层含有树脂成分(X)，

所述树脂成分(X)为至少具有来自(甲基)丙烯酸烷基酯的结构单元的丙烯酸类聚合物，

所述树脂成分(X)的HSP的极性项δ_P为7.5MPa^1/2以下，

规定HSP空间，并在所述HSP空间内制作所述非能量射线固化性聚合物(b)的汉森溶解球时，所述能量射线固化性成分(a0)的HSP包含在所述非能量射线固化性聚合物(b)的汉森溶解球的区域内，

其中，所述HSP是指汉森溶解度参数并且通过以下步骤测量：

(1)确认对象成分在HSP已知的多种溶剂中的溶解性，所述HSP已知的多种溶剂为丙酮、环己酮、甲苯、2-丙醇、丙二醇、二甲基甲酰胺、喹啉、苄醇、苯甲酸乙酯、己烷、四氯乙烯、二乙二醇、乙腈、环己醇、硝基苯、1-丁醇、乙醇、乙酸乙酯、甲基乙基酮、邻硅酸四乙酯及γ-丁内酯；

(2)将这些溶剂按照种类逐一放入容器中，向在23℃的温度条件下使温度稳定的2mL这些溶剂中添加15mg对象成分，给容器装上盖子，进行密封；

(3)将密封后的容器颠倒旋转50次，混合内容物，接着将容器静置4小时，然后以与上述相同的方式颠倒旋转50次，由此混合内容物，然后，将所得到的最终混合物静置1天，其中混合及静置的操作均在23℃的温度条件下进行；

(4)然后，立即通过肉眼确认对象成分是否溶解在所述最终混合物中，其中将在所述最终混合物中确认到了对象成分的不溶物的情况判定为对象成分不溶，将在所述最终混合物中完全未确认到对象成分的不溶物的情况判定为对象成分溶解；

(5)然后，使用解析软件HSPiPversion4.1，对于全部溶剂，输入每种溶剂的HSP与通过步骤(4)得到的判定结果，计算对象成分的HSP，

其中所述汉森溶解球通过以下步骤获得：

求出对象成分的HSP时，规定作为分散项δ_D、极性项δ_P及氢键项δ_H的三维空间的HSP空间，在所述HSP空间内，对溶剂的HSP与对象成分的溶解性的判定结果进行绘图，然后，在所述HSP空间内假想一个球，以使溶解了对象成分的溶剂的标绘存在于球的表面与内侧、且不溶解对象成分的溶剂的标绘存在于球的外侧的方式，制作大小最大的球，在所述大小最大的球的表面一定存在溶解了对象成分的溶剂的标绘，所述大小最大的球为汉森溶解球，其中汉森溶解球的中心为对象成分的HSP。

2.根据权利要求1所述的保护膜形成用复合片，其中，

所述能量射线固化性成分(a0)为具有(甲基)丙烯酰基的丙烯酸酯类化合物。

3.根据权利要求1或2所述的保护膜形成用复合片，其中，

所述支撑片含有基材与设置在所述基材上的粘着剂层，

所述粘着剂层为与所述保护膜形成用膜接触的层。

4.一种半导体芯片的制造方法，其包括：

将权利要求1～3中任一项所述的保护膜形成用复合片中的保护膜形成用膜贴附在半导体晶圆上；

通过对贴附于所述半导体晶圆后的所述保护膜形成用膜照射能量射线而形成保护膜；

分割所述半导体晶圆，切断所述保护膜或所述保护膜形成用膜，得到多个具备切断后的保护膜或切断后的保护膜形成用膜的半导体芯片；及

将具备所述切断后的保护膜或所述切断后的保护膜形成用膜的半导体芯片从所述支撑片上分离，并进行拾取。