[发明专利]具有可变阻抗单元和过渡时间数据感测的存储器

权利要求书

1.一种存储器装置，其包括：

多个存储器单元，每个存储器单元具有可变阻抗，所述可变阻抗根据存储在其中的相应数据值而变化；和

读取电路，其被配置为基于对应于选定的存储器单元的所述可变阻抗的信号节点电压变化的可变时间延迟确定来读取存储在所述选定的存储器单元内的所述数据值。

2.根据权利要求1所述的存储器装置，其中：

每个相应的数据值对应于多个位。

3.根据权利要求1所述的存储器装置，其中：

所述可变阻抗包括可变电流。

4.根据权利要求1所述的存储器装置，其中：

每个存储器单元的所述可变阻抗由所述单元内的晶体管产生，所述晶体管的栅极电压随着写入其中的数据而变化。

5.根据权利要求4所述的存储器装置，其中：

所述多个存储器单元包括易失性存储器单元。

6.根据权利要求4所述的存储器装置，其中：

所述多个存储器单元包括非易失性存储器单元。

7.根据权利要求4所述的存储器装置，其中：

每个存储器单元都包括一个以上的晶体管，所述一个以上的晶体管的相应的栅极电压随着写入其中的所述数据而变化；和

所述一个以上的晶体管一起确定所述存储器单元的所述可变阻抗。

8.根据权利要求1所述的存储器装置，其中：

所述信号节点包括读位线节点。

9.根据权利要求1所述的存储器装置，其中：

所述读取电路与选择电路一起被配置为以对应于所述选定的存储器单元的所述可变阻抗的可变速率来实现所述信号节点的电压变化，并且基于所述信号节点电压变化的所述可变时间延迟确定来读取存储在所述选定的存储器单元内的所述数据值。

10.根据权利要求9所述的存储器装置，其中：

所述读取电路被配置为以对应于选定存储器单元的所述可变阻抗的可变速率使所述信号节点放电；

所述信号节点电压变化的所述可变时间延迟确定包括所述信号节点电压变化的放电时间测量；和

所述信号节点包括读位线节点。

11.根据权利要求9所述的存储器装置，其中：

所述读取电路被配置为以对应于选定存储器单元的所述可变阻抗的可变速率对所述信号节点充电；

所述信号节点的所述可变时间延迟确定包括所述信号节点的充电时间测量；和

所述信号节点包括读位线节点。

12.一种存储器装置，其包括：

阵列中的多个存储器单元；和

读取电路，其被配置为以对应于存储在选定的存储器单元内的数据值的可变速率来实现信号节点的电压过渡，并且执行所述信号节点的过渡时间测量以确定存储在所述选定的存储器单元内的所述数据值。

13.根据权利要求12所述的存储器装置，其中：

每个相应的数据值对应于多个位。

14.根据权利要求12所述的存储器装置，其中：

每个存储器单元的所述可变阻抗由所述单元内的晶体管产生，所述晶体管的栅极电压随着写入其中的数据而变化。

15.根据权利要求14所述的存储器装置，其中：

所述多个存储器单元包括易失性存储器单元。

16.根据权利要求14所述的存储器装置，其中：

每个存储器单元都包括一个以上的晶体管，所述一个以上的晶体管的栅极电压随着写入其中的所述数据而变化；和

所述一个以上的晶体管一起确定所述存储器单元的所述可变阻抗。