[发明专利]氮化镓晶体膜的制造方法在审
| 申请号： | 201880059754.0 | 申请日： | 2018-09-13 |
| 公开（公告）号： | CN111094619A | 公开（公告）日： | 2020-05-01 |
| 发明（设计）人： | 纐缬明伯;村上尚;山口晃 | 申请（专利权）人： | 国立大学法人东京农工大学;大阳日酸株式会社 |
| 主分类号： | C23C16/34 | 分类号： | C23C16/34;C23C16/448;C30B25/16;C30B29/38;H01L21/205 |
| 代理公司： | 北京市铸成律师事务所 11313 | 代理人： | 王艳波;林军 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 氮化 晶体 制造 方法 | ||
1.一种氮化镓晶体膜的制造方法，包括：通过在基板上供给由惰性气体构成的载气、GaCl3气体、卤素气体和NH3气体而在所述基板上生长氮化镓晶体膜的生长工序，
在所述生长工序中，在将所述基板上的所述卤素气体的分压与所述GaCl3气体的分压之比作为分压比[P卤素/PGaCl3]的情况下，分压比[P卤素/PGaCl3]为0.20以上。
2.根据权利要求1所述的氮化镓晶体膜的制造方法，其中，
所述分压比[P卤素/PGaCl3]为0.30以上。
3.根据权利要求1或2所述的氮化镓晶体膜的制造方法，其中，
所述分压比[P卤素/PGaCl3]为2.50以下。
4.根据权利要求1～3中任一项所述的氮化镓晶体膜的制造方法，其中，
对于所述生长工序，实质上同时开始向所述基板上供给所述GaCl3气体以及向所述基板上供给所述卤素气体。
5.根据权利要求1～4中任一项所述的氮化镓晶体膜的制造方法，其中，
对于所述生长工序，在所述基板上供给包含由惰性气体构成的载气、GaCl3气体和卤素气体的混合气体、以及包含由惰性气体构成的载气和NH3气体的混合气体。
6.根据权利要求1～5中任一项所述的氮化镓晶体膜的制造方法，其中，
所述卤素气体为Cl2气体。
7.根据权利要求1～6中任一项所述的氮化镓晶体膜的制造方法，其中，
所述基板在所述生长工序中的温度为1200℃～1550℃。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于国立大学法人东京农工大学;大阳日酸株式会社，未经国立大学法人东京农工大学;大阳日酸株式会社许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201880059754.0/1.html，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：柱塞泵
- 下一篇：包含二酯的润滑组合物
- 同类专利
- 专利分类
C23C 对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面扩散法，化学转化或置换法的金属材料表面处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆，例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上，例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆，例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的
