[发明专利]磁性体与BiSb的层叠构造的制造方法、磁阻存储器、纯自旋注入源

权利要求书

1.一种磁阻存储器，其特征在于，包括：

包含磁化自由层的MTJ(磁隧道结)元件，以及

包含与所述磁化自由层连接的BiSb层的纯自旋注入源；

使面内电流在所述BiSb层内流动，而能够进行所述磁化自由层的磁化反转。

2.如权利要求1所述的磁阻存储器，其特征在于，

所述BiSb层结晶化了。

3.如权利要求1或2所述的磁阻存储器，其特征在于，

所述BiSb层具有(012)取向。

4.如权利要求1至3的任意一项所述的磁阻存储器，其特征在于，

利用所述BiSb层的拓扑表面态，单元被双端子化。

5.如权利要求4所述的磁阻存储器，其特征在于，

不进行面内偏置磁场的施加。

6.一种磁阻存储器的制造方法，其特征在于，包括：

形成磁化自由层的步骤，以及

形成包含BiSb层的纯自旋注入源的步骤；

所述BiSb层被在基板温度200～250℃的条件下制膜。

7.一种磁性体与BiSb层的层叠构造的制造方法，其特征在于，

在基板温度200～250℃的条件下制膜出所述BiSb层。

8.如权利要求6或7所述的制造方法，其特征在于，

所述BiSb层具有(012)取向。

9.一种向磁性体注入纯自旋流的纯自旋注入源，其特征在于，

包含与所述磁性体连接的BiSb层，根据在所述BiSb层中流动的面内电流，而沿法线方向向所述磁性体供给纯自旋流。

10.如权利要求9所述的纯自旋注入源，其特征在于，

所述BiSb层结晶化了。

11.一种磁阻存储器，其中，包括：

包含磁化自由层的MTJ(磁隧道结)元件，以及

包含与所述磁化自由层连接的BiSb层的纯自旋注入源；

所述BiSb层具有(012)配向，并利用四次对称的结晶构造的基底层。