[发明专利]聚二氟乙炔、聚二氟乙炔的制造方法、前体聚合物、成型体和粉末有效
申请号: | 201880058341.0 | 申请日: | 2018-07-27 |
公开(公告)号: | CN111094364B | 公开(公告)日: | 2023-04-11 |
发明(设计)人: | 四元佑树;矢野辽一;富田真裕 | 申请(专利权)人: | 大金工业株式会社 |
主分类号: | C08F8/26 | 分类号: | C08F8/26;C08F14/18;C08F38/00 |
代理公司: | 北京三友知识产权代理有限公司 11127 | 代理人: | 孟伟青;褚瑶杨 |
地址: | 日本大阪*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 聚二氟 乙炔 制造 方法 聚合物 成型 粉末 | ||
本发明提供一种新的聚二氟乙炔。本发明涉及一种聚二氟乙炔,其特征在于,其具有C=C键和C‑F键,在25℃下在二甲基甲酰胺(DMF)中的溶解量为0.2g/10g以下。
技术领域
本发明涉及聚二氟乙炔、聚二氟乙炔的制造方法、前体聚合物、成型体和粉末。
背景技术
近年来,导电性聚合物备受关注。作为代表性的导电性聚合物,可以举出聚乙炔。聚乙炔是以乙炔作为原料来制造的,但此时需要使用大量的催化剂,不适于工业过程。另外,聚乙炔还具有在空气中容易发生氧化劣化的问题。因此进行了其他导电性聚合物的开发,作为其一例,研究了聚二氟乙炔。
例如,专利文献1中提出了一种以二氟1,2-亚乙烯基-CF=CF-作为重复单元、由通式(-CF=CF-)n(其中n为自然数)所表示的聚二氟乙炔。
另外,专利文献2中提出了一种二取代乙炔高聚合物的制造方法,其特征在于,使特定的二取代乙炔化合物在选自Si、As、Sb和P中的至少一种元素的卤化物的存在下进行聚合。
另外,专利文献3中提出了一种含氟聚合物的制造方法,其特征在于,在支持电解质存在下将特定的三氟乙烯基硅烷系化合物进行电化学聚合。
现有技术文献
专利文献
专利文献1:日本特开昭58-59208号公报
专利文献2:日本特开昭59-215303号公报
专利文献3:日本特开昭62-143912号公报
发明内容
发明所要解决的技术问题
但是,专利文献1和2的技术中,具有原料乙炔化合物非常不稳定、不容易进行处理的问题。进而,由于所得到的聚合物溶解于二甲基甲酰胺等溶剂中,因此反应后的清洗不容易,具有杂质残留的问题。专利文献3的技术中,由于键接在聚合物的主链碳原子上的甲硅烷基有残留,因此不能得到完全氟化的聚二氟乙炔。另外,作为得到聚氟化乙炔的方法,还考虑了使聚偏二氟乙烯进行脱氟化氢反应的方法,但由于键接在聚合物的主链碳原子上的氢原子有残留、重复单元成为-CF=CH-,因此理论上不能得到聚二氟乙炔。
鉴于上述现状,本发明的目的在于提供一种新的聚二氟乙炔、聚二氟乙炔的新的制造方法、用于得到聚二氟乙炔的新的前体聚合物、新的成型体以及新的粉末。
用于解决课题的手段
本发明提供一种聚二氟乙炔,其特征在于,其具有C=C键和C-F键,在25℃下在二甲基甲酰胺(DMF)中的溶解量为0.2g/10g以下。
上述聚二氟乙炔优选基于ATR分析的氟化度为0.90以上。
上述聚二氟乙炔优选在空气气氛下在100℃加热2小时后的分解率为1.0%以下。
本发明还涉及一种聚二氟乙炔的制造方法,其特征在于,其包括使含有通式(1):
-CHF-CFX-
(式中,X为F、Cl、Br或I)所表示的重复单元的前体聚合物进行脱卤化氢反应,来得到聚二氟乙炔的工序。
上述脱卤化氢反应优选通过使上述前体聚合物与脱卤化氢剂反应来进行。
本发明还涉及一种前体聚合物,其特征在于,其是用于进行脱卤化氢反应来得到聚二氟乙炔的前体聚合物,该前体聚合物含有通式(1):
-CHF-CFX-
(式中,X为F、Cl、Br或I)所表示的重复单元,基于聚苯乙烯换算的重均分子量为50000~1000000。
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