[发明专利]双面电极型太阳能电池和太阳能电池模块有效
申请号: | 201880058161.2 | 申请日: | 2018-09-14 |
公开(公告)号: | CN111095572B | 公开(公告)日: | 2023-09-08 |
发明(设计)人: | 高桥祐司;吉河训太;大本慎也 | 申请(专利权)人: | 株式会社钟化 |
主分类号: | H01L31/0224 | 分类号: | H01L31/0224;H01L31/043;H01L31/05;H01L31/0747 |
代理公司: | 北京市隆安律师事务所 11323 | 代理人: | 权鲜枝;刘宁军 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 暂无信息 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索关键词: | 双面 电极 太阳能电池 模块 | ||
提供既会确保太阳能电池彼此的连接强度又会发挥高输出的太阳能电池模块和适用于该太阳能电池模块的太阳能电池。在太阳能电池(10)中,在半导体基板(15)上,当在一端侧(E1S)的受光面(15SU)侧,将未被p型用透明氧化物电极层(12p)覆盖的区域设为“区域(A)”,在另一端侧(E2S)的受光面(15SU)侧,将未被p型用透明氧化物电极层(12p)覆盖的区域设为“区域(B)”时,区域(A)的面积比区域(B)的面积宽广。
技术领域
本发明涉及双面电极型太阳能电池和太阳能电池模块。
背景技术
近来,在将双面电极型的太阳能电池模块化的情况下,存在不使用导电性的连接线而是通过使太阳能电池的一部分彼此相互重叠来直接电气且物理地进行连接的方式(例如专利文献1)。
这种连接方式被称为搭迭(Shingling)方式,根据该方式,能在太阳能电池模块中有限的太阳能电池安装面积内安装更多的太阳能电池,用于光电转换的受光面积增加,因此认为太阳能电池模块的输出会提高。
专利文献1:特开平11-186577号公报
发明内容
但是,若是仅单纯增加了受光面积的太阳能电池模块的话,实际上很难提高输出。这是因为,输出的提高不仅存在受光面积这个因素,还存在其它各种因素。作为其中一个因素,可以想到在太阳能电池的pn结之间产生的暗电流。这是因为,如果产生暗电流的话,太阳能电池的动作点电压会下降,从而输出也会下降。并且,在搭迭方式的情况下,由于1个太阳能电池的一部分被别的太阳能电池的一部分遮光,因此容易产生暗电流。
要想抑制该暗电流,只要使太阳能电池的一部分彼此相互重叠的面积变窄即可,但这样一来,物理连接面积会窄小化,会产生太阳能电池彼此的连接强度的不足。另外,由于太阳能电池彼此是电气且物理的连接,在相互重叠的太阳能电池的一部分彼此之间例如会存在导电性粘接剂,但该导电性粘接剂也可能会在热压接时延展而进入到太阳能电池的受光面,导致阴影损失(Shadow loss)。
本发明是为了解决上述问题而完成的。并且,其目的在于,提供既会确保太阳能电池彼此的连接强度又会发挥高输出的太阳能电池模块和适用于该太阳能电池模块的太阳能电池。
本发明的双面电极型太阳能电池包含:半导体基板;p型半导体层及与其对应的p型用透明氧化物电极层,它们位于上述半导体基板的主面中的一面侧;以及n型半导体层及与其对应的n型用透明氧化物电极层,它们位于上述半导体基板的主面中的另一面侧。在该双面电极型太阳能电池中,将上述半导体基板中相对的两边中的一方设为一端侧,将另一方设为另一端侧,在上述一端侧的上述一面侧,将未被上述p型用透明氧化物电极层覆盖的上述p型半导体层的区域设为“区域A”,在上述另一端侧的上述一面侧,将未被上述p型用透明氧化物电极层覆盖的上述p型半导体层的区域设为“区域B”。那么,上述区域A的面积比上述区域B的面积宽广。
搭载有本发明的太阳能电池的太阳能电池模块既会确保太阳能电池彼此的连接强度,又会发挥高输出。
附图说明
图1是后述的图6所示的太阳能电池模块的截面图中的局部放大图。
图2是示出图1的另一例的局部放大图。
图3是太阳能电池的立体图。
图4是太阳能电池的俯视图。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于株式会社钟化,未经株式会社钟化许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201880058161.2/2.html,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:信息处理设备、信息处理方法和程序
- 下一篇:冲击吸收装置
- 同类专利
- 专利分类
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的